半胺缩醛化合物的制造方法及氰基胺化合物的制造方法

文档序号:3480044阅读:872来源:国知局
半胺缩醛化合物的制造方法及氰基胺化合物的制造方法
【专利摘要】通过包括下述工序A的半胺缩醛化合物(1)的制造方法、以及包括下述工序A及工序B的氰基胺化合物(4)的制造方法,能够以优异的收率制造半胺缩醛化合物(1)及氰基胺化合物(4)。〔工序A〕为在碱的存在下,使酰胺化合物(2)与(Ms+)l/sH4-mAl-(OR5)m所示的还原剂进行反应的工序。〔工序B〕为使半胺缩醛化合物(1)与氰化剂进行反应的工序。
【专利说明】半胺缩醛化合物的制造方法及氰基胺化合物的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半胺缩醛(hemiaminal)化合物的制造方法及氰基胺化合物的制造方法等。
【背景技术】
[0002]式(I)所示的半胺缩醛化合物或其盐、以及式(4)所示的氰基胺化合物或其盐作为医药农药的制造中间体等是有用的(例如,参照W098/19998)。
[0003]
【权利要求】
1.一种式(I)所示的半胺缩醛化合物或其盐的制造方法,包括下述工序A,所述工序A是在碱的存在下,使式(2)所示的酰胺化合物与式(3)所示的还原剂进行反应的工序,
2.一种式(4)所示的氰基胺化合物或其盐的制造方法,包括下述工序A及工序B,所述工序A是在碱的存在下,使式(2)所示的酰胺化合物与式(3)所示的还原剂进行反应的工序,所述工序B是使工序A中获得的式(I)所示的半胺缩醛化合物或其盐与氰化剂进行反应的工序,R2 人R1式中,环W表示可以具有取代基的杂环#及R2各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的脂肪族烃基、可以具有取代基的脂环式烃基或可以具有取代基的芳香族烃基;R3及 R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的脂肪族烃基、可以具有取代基的脂环式烃基、可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的杂环基、可以具有取代基的氨基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的焼硫基或可以具有取代基的芳硫基,
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,工序A中的式(3)所示的还原剂为下式所示的化合物,式:(Ms+) 1/sH4_mAl [0-(CH2) n_0R6] m 式中,R6表示烷基或环烷基;n表示1、2、3或4 ;Ms+、s及m各自表示与上述相同的意思。
4.根据权利要求2所述的制造方法,其中,工序A中的式(3)所示的还原剂为下式所示的化合物,式:(Ms+) 1/sH4_mAl [0-(CH2) n_0R6] m式中,R6表示烷基或环烷基;n表示1、2、3或4 ;Ms+、s及m各自表示与上述相同的意思。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的制造方法,其中,工序A中的式(3)所示的还原剂为双(2-甲氧基乙氧基)氢化铝钠。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的制造方法,其中,工序A中的碱为碱金属烷醇盐。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的制造方法,其中,工序A中的碱为N,N’ -二甲基乙二胺。
8.根据权利要求2所述的制造方法,其中,工序B中的氰化剂为氰化金属或氰化氢。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的制造方法,其中,R1为可以具有取代基的苯基,R2为氢原子、可以具有取代基的C1~Cltl烷基或可以具有取代基的苯基。
【文档编号】C07D207/16GK103562181SQ201280024711
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2012年5月25日 优先权日:2011年6月3日
【发明者】岛崎泰治, 王维奇 申请人:住友化学株式会社
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