专利名称：含有双环辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用的制作方法
技术领域：
本发明属于液晶化合物及应用领域，涉及含有双环辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用。
背景技术：
自1888年奥地利科学家莱尼茨尔第一次合成出来了液晶以来，液晶产业真正的发展是近30多年的事，由于液晶显示材料具有明显的优点，如驱动电压低、功耗微小、可靠性高、显示信息量大、彩色显示、无闪烁、可以实现平板显示等，液晶单体和液晶显示都经历了巨大的的发展，液晶单体目前已合成了 I万多种液晶材料，其中常用的液晶显示材料有上千种，按液晶分子的中心桥键和环的特征进行分类，主要有联苯液晶、苯基环己烷液晶、酯类液晶、炔类、二氟甲氧桥类、乙烷类及杂环类等。液晶显示也从30年前的黑白小屏幕的TN、STN发展到现在彩色大屏幕的TN-TFT、VA-TFT, IPS-TFT, PDLC等。主要的新型液晶显示方式有光学补偿弯曲模式(OCB)、共面转变液晶显示(IPS)、垂直取向模式(VA)、轴对称微结构液晶显示(ASM)、多畴扭曲液晶显示等。各种显示方式液晶盒的设计不同、驱动方式不同，液晶分子指向矢和玻璃基板方向不同，光学补偿弯曲模式(OCB)、共面转变液晶显示(IPS)液晶分子指向矢和玻璃基板方向是平行的，而垂直取向模式(VA)、轴对称微结构液晶显示(ASM)在无电场状态下液晶分子指向矢和玻璃基板方向垂直。平行排列方式的IPS，液晶的介电各向异性(Λ ε )既可以是正的，也可以是负的。垂直取向模式(VA)所有液晶分子在零场时和玻璃基板方向垂直，与垂直入射光线平行。当偏振片正交时， 会显示良好的暗态，所以该类器件有良好的对比度，用到液晶的介电各向异性(△ ε)必须是负的。液晶的光学各向异性(Δη)、液晶盒的厚度(d)、入射光的波长(λ)几乎影响不到对比度。垂直取向模式(VA)的响应时间比扭曲型器件要短得多，约为一半左右。在外加电压影响下，VA器件主要产生的是液晶分子的弯曲形变，ECB产生的是液晶分子的展曲形变，而扭曲显示产生的是液晶分子的扭曲形变，其响应时间也分别与弯曲、展曲、扭曲弹性常数成反比，由于大部分的液晶在通常的情况下液晶的弯曲弹性常数大于展曲弹性常数，展曲弹性常数又大于扭曲弹性常数，这也是VA器件响应时间较快的原因。为了能使显示器件的性能更加接近理想化，人们一直在致力于研究新的液晶化合物，这得以使液晶化合物及显示器件的性能仍在不断的向前发展。
发明内容
本发明的目的是提供一种含有双环辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用。本发明提供的含有双环辛烷的液晶化合物，其结构通式如式I所示，
权利要求
1.I所示化合物，
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于:所述式I所示化合物为式Ia所示化合物，
3.一种制备权利要求1或2所述R1不为氢的式I所示化合物的方法，包括如下步骤: 1)将
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于:所述步骤I)中，
5.一种制备权利要求1或2所述Rl为氢的式I所示化合物的方法，包括如下步骤: 1)将权利要求3-4任一所述方法步骤3)所得
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于:所述步骤1)中，
7.根据权利要求3-6任一所述的方法，其特征在于:所述
8.有组分A的液晶混合物；所述组分A为权利要求1或2任一所述式I所示化合物； 所述组分A占所述液晶混合物中的质量百分含量为1-50%,具体为2-10%。
9.根据权利要求8所述的液晶混合物，其特征在于:所述液晶混合物由所述组分A和组分B组成； 所述组分B选自式IIA、式IIB和式III所示中的至少一种；
10.有权利要求1或2所述式I所示化合物或权利要求8或9所述液晶混合物的电光学显不器。
全文摘要
本发明公开了一种含有双环辛烷的液晶化合物及其制备方法与应用。该化合物如式I所示。该式I所示化合物，具有良好的对光和热的稳定性，具有高的负性介电各向异性，较高的清亮点，与其他液晶具有良好的互溶性，其合成路线简单，成本较低，具有良好的实用价值。式I。
文档编号C07C25/22GK103086843SQ20131003964
公开日2013年5月8日 申请日期2013年1月31日 优先权日2013年1月31日
发明者员国良, 华瑞茂, 吕文海, 侯泽峰, 王健, 赵磊, 卓晓曦 申请人:石家庄诚志永华显示材料有限公司