%本发明配合物1-4(重量比）薄膜置于直径为142mm的积分球测定薄膜的发光 量子产率。
[0063] 配合物1-4在溶液、固体和薄膜中均具有很强的磷光发射：
[0064]配合物1-4在二氯甲烷溶液中的发射波长和量子产率分别为575nm和0.20(1)， 561nm和0.25(2)，581nm和0.53(3) ;578nm和0· 19(4) ·
[0065] 配合物1-4的固体状态发射波长和量子产率分别为580nm和0 · 78(1)，573nm和0 · 45 (2)，585nm和0 · 56 (3); 557nm和0 · 59 (4) ·
[0066] 配合物1和3在56.7%1'(^:28.3%(^-7:15.0%本发明配合物(重量比）薄膜中的 发射波长和量子产率分别为563nm和0 · 38 (1)，57lnm和0 · 45 (3) 〇
[0067] 实施例6:有机发光二极管器件制备与电致发光性能测试
[0068] 分别利用实施例1和实施例3中制备的磷光配合物1和3为发光材料以15.0%的重 量百分比掺杂到TCTA(56.7% ):0XD-7(28.3% )混合主体材料中作为发光层制备有机发光 二极管，器件结构为：IT0/PED0T: PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/56 · 7 % TCTA: 28 · 3 %0XD-7 : 15.0% 本发明配合物 1 或 3(50nm)/TPBi(50nm)/LiF(lnm)/Al(100nm)〇
[0069] 首先分别利用去离子水、丙酮、异丙醇清洗ΙΤ0基底，再采用UV-臭氧处理15分钟。 将过滤后的PED0T:PSS水溶液在旋涂仪上以3000转/分钟的转速旋涂到ΙΤ0基底上，在140°C 干燥20分钟后得到50nm厚度的空穴注入层。其次将过滤后的浓度为10mg/mL CuSCN的二乙 硫醚溶液以4400转/分钟的转速旋涂到PED0T:PSS薄膜上，在140°C干燥10分钟后形成30nm 厚度的空穴传输层。再利用旋涂仪将过滤后的浓度为5.5mg/mL的56.7%1'(^:28.3%(^-7:15.0 %本发明配合物1或3 (重量百分比）的二氯甲烷溶液以1500转/分钟的转速旋涂到 CuSCN薄膜上形成50nm厚度的发光层。随后，将ΙΤ0基底置于真空度不低于4Xl(T4Pa的真空 腔中，依次热蒸镀50nm厚的TPBi电子传输层、lnm厚的LiF电子注入层、以及100nm厚度的A1 为器件阴极。
[0070]发光二极管器件性能测试在室温干燥的空气环境中进行。电致发光性能参数包括 电致发光波长(λΕ?)，启亮电压(V〇n)，最大亮度(Lmax)，最大电流效率(CE max)，最大功率效率 (PEmax)，最大外量子效率(EQEmax)列于表1。
[00川表1.本发明磷光配合物1和3电致发光器件性能数据
[0074] a ￥。"为亮度为lcd/m2的启亮电压，CE为电流效率，PE为功率效率，EQE为外量子效 率。b电压为4.8V，亮度为188cd/m 2时的效率。e电压为4.5V，亮度为184cd/m2时的效率。
【主权项】
1. 一种离子型憐光金属配合物，其结构为： [AgsCu {HC(PPh2)3}2(C^CR)3{Ph2P(=X)X}3]+An-l/n; 其中 X可相同可不同，独立的选自：0、S、Se; R可相同可不同，独立的选自：烷基、芳基、杂芳基、-芳基-杂芳基，所述的烷基、芳基、杂 芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基独立的选自烷基、締基、烘基、烷氧基、氨 基、面素、面烷基、芳基； A。-为 Cl〇4-、PF6-、訊 F6-、BF4-、SiFs2-等，n为 1、2。2. 根据权利要求1所述的配合物，所述配合物的立体结构如下式1所示：3. 根据权利要求1或2所述的配合物，其中，所述X可相同可不同，独立的选自0、S;所述R 可相同可不同，独立的选自：巧挫基、-芳基、-巧挫基-芳基，所述巧挫基、芳基可任选被一个 或多个取代基取代，所述取代基独立的选自烷基、烷氧基、氨基、面素、面烷基、芳基。进一步 优选的，R独立的为苯基、烷基苯基、面烷基苯基、巧挫基、苯基巧挫基、烷基巧挫基； 进一步优选的，所述金属配合物具体的为如下4种配合物：4. 一种权利要求1-3任一项所述的憐光金属配合物的制备方法，包括如下步骤： 将肥(PI%2 ) 3、有机烘化银配位聚合物[Ag ( C = CR ) ] n、[ Cu ( Y ) 4] ( An-1/n )和化2P ( = X )XH混 合，得到所述憐光金属配合物，其中，Y为配体，X、An\R、n如权利要求1-3中任一项所定义。 所述化2P( =X)X优选为二苯基麟酸(PhsPCOOH)、二苯基二硫代麟酸(PhsPCSSH)或二苯 基硫代麟酸(PhsPCSOH)。 所述配体Y优选为MeCN、THF，所述[Cu(Y)4] (An-1/n)优选为[Cu(MeCN)4] (Cl〇4)。 所述HC(PPh2)3优选先溶解于溶剂中，所述溶剂优选为面代控，例如二氯甲烧。 优选的，肥(P陆2)3:[加(￥)4](4。-1/。）：[4邑(0 = 0〇]。:陆2口（=乂佔雌]摩尔比为1.5~2.5: 4.0~8.0:2.0~4.0:0.5~1.5，更优选摩尔比为2:6:3:1。5. 权利要求1-3任一项所述的配合物的用途，其用于有机发光二极管。6. -种有机发光二极管，包括发光层，其中，所述发光层中含有如权利要求1-3任一项 所述的配合物。优选的，在所述发光层中，权利要求1-3任一项所述的配合物占所有材料的 5-25% (重量百分比），更优选10-20 %。7. 根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管包括：阳极、空穴 注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。8. 根据权利要求6或7所述的有机发光二极管，其中，所述阳极为铜锡氧化物;所述空穴 注入层为阳D0T:PSS(P抓OT = PSS =聚（3,4-亚乙二氧基嚷吩）-聚（苯乙締横酸））；所述空穴 传输层为硫氯化亚铜;所述发光层含有权利要求1-3任一项所述的憐光金属配合物，W及具 有空穴传输特性的TCTA(S(4-(9-巧挫）苯基)胺），mCP(1.3-(9-巧挫基)苯），CBP(4，4 ' -二 (9-巧挫）-1，1' -联苯），或2，6-DCZPPY(2，6-二（3-(9-巧挫）苯基川比晚）和具有电子传输特 性的0XD-7(1,3-双(5-(4-(叔下基)苯基)-1,3,4-嗯二挫-2-基)苯）；所述电子传输层可为 了口81(1，3,5-^(1-苯基-1护苯并[(1]咪挫-2-基)苯），8111口7口8(3，沪，5,5"-四（3-化晚基)-1， 1' ： 3 '，r -S联苯），BCP (2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲塔嘟)或0XD-7;所述电子注入层 为LiF;所述阴极为A1。进一步优选的，所述器件结构为：IT0/P抓0T:PSS(50nm)/CuSCN (30加1)/56.7%1'圳4:28.3%0乂0-7:15.0%*1权利要求1-3任一项所述的配合物（50醒)/ TPBi(50nm)/LiF(lnm)/Al(100nm)〇9. 一种制备权利要求6-8任一项所述的有机发光二极管的方法，包括：1)采用溶液法制 备有机发光二极管中的空穴注入层;2)采用溶液法制备有机发光二极管中的空穴传输层； 3)采用溶液法制备渗杂有权利要求1-3任一项所述的憐光配合物的发光层;4)再依次利用 真空热蒸锻方法制备电子传输层、电子注入层、W及阴极层。10. 权利要求6-8任一项所述的有机发光二极管的用途，其用于平板显示或日常照明领 域中。
【专利摘要】本发明涉及一种离子型磷光金属配合物及其制备方法和用途，所述配合物的结构为：[Ag6Cu{HC(PPh2)3}2(C≡CR)3{Ph2P(＝X)X}3]+An-1/n。其中X可相同可不同，独立的选自任选为：O、S、Se；R可相同可不同，独立的选自：芳基、杂芳基、-芳基-杂芳基，所述的杂芳基、芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基独立的选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤烷基、芳基；An-为ClO4-、PF6-、SbF6-、BF4-、SiF62-等，n为1、2。本发明还涉及了一种有机发光二极管及其制备方法和用途，以本发明所述的磷光金属配合物为发光层掺杂体，制备得到的有机发光二极管，具有高性能的有机电致发光，可应用于平板显示。
【IPC分类】C07F9/50, H01L51/54, C09K11/06
【公开号】CN105503949
【申请号】CN201510444080
【发明人】陈忠宁, 徐亮金, 王金云, 舒辉星
【申请人】中国科学院福建物质结构研究所
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年7月27日