有机电致发光器件及制备方法
【专利摘要】本发明是涉及一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、有机阻挡层及掺杂碲化合物层。该上述有机电致发光器件在阴极层上设置有有机阻挡层及掺杂碲化合物层，有机阻挡层及掺杂碲化合物层构成水氧阻挡层，具有较好的防氧防水功能，分层设置的水氧阻挡层可以有效防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。上述有机电致发光器件的防水性能可达10-4g/m2·天，封装效果好，寿命可达5300小时以上。此外，本发明还涉及一种有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】有机电致发光器件及制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作为发光层，发光层上方设有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003]OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被认为在照明和显示器件市场上具有广阔的应用前景。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。
[0004]但有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感。因为氧气是淬灭剂，会使发光的量子效率显著下降，氧气对空穴传输层的氧化作用也会使其传输能力下降。水汽的影响更显而易见，其主要破坏方式是有机化合物的水解作用，使其稳定性大大下降，从而导致OLED器件失效，降低OLED器件的寿命。因而，有效抑制OLED器件在长期工作过程中的退化和失效，以使其稳定工作达到足够的寿命，对封装材料的阻隔性提出了极高的要求，而起密封保护作用的封装技术就成了解决OLED器件寿命问题的一个突破点。
[0005]封装技术是通过形成结构致密的隔层，对封装区内的核心部件实现物理保护。但传统的封装技术普遍存 在寿命短的缺陷，防水氧效果差，限制了 OLED器件的进一步应用。
【发明内容】
[0006]基于此，有必要提供一种防水氧效果较好的有机电致发光器件及其制备方法。
[0007]—种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、有机阻挡层及掺杂碲化合物层，其中，所述有机阻挡层的材料为酞菁铜、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯_4，4' -二胺、8-羟基喹啉-铝、4，4'，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 一邻菲罗啉；所述掺杂碲化合物层包括碲化物和掺杂在所述碲化物中的氮化物，所述碲化物为 Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In2Te3、SnTe 或 PbTe，所述氮化物为 Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述氮化物在所述掺杂碲化合物层中的掺杂质量浓度为10-40%。
[0008]在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的数量为4飞层，所述掺杂碲化合物层的数量与所述有机阻挡层的数量相同，所述有机阻挡层与所述掺杂碲化合物层交替设置。
[0009]在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为20(T300nm。
[0010]在其中一个实施例中，所述掺杂碲化合物层的厚度为10(T200nm。
[0011]在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为MoO3按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯_4，4' -二胺中组成的掺杂混合材料；
[0012]所述空穴传输层的材质为采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；[0013]所述发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；
[0014]所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉；
[0015]所述电子注入层的材质为CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入4，7_ 二苯基_1，10-菲罗啉中组成的混合材料。
[0016]一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0017]在阳极基板的阳极层上依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；
[0018]采用真空蒸发的方式在所述阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材料为酞菁铜、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -联苯-4，4' - 二胺、8-羟基喹啉-铝、4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7—二苯基一 I，10 —邻菲罗啉；[0019]采用磁控溅射的方式在所述有机阻挡层上制备掺杂碲化合物层，所述掺杂碲化合物层包括碲化物和掺杂在所述碲化物中的氮化物，所述碲化物为Sb2Te3、Bi2Te, CdTe,In2Te3、SnTe或PbTe，所述氮化物为Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN，所述氮化物在所述掺杂碲化合物层中的掺杂质量浓度为10-40%。
[0020]在其中一个实施例中，所述制备方法还包括重复制备所述有机阻挡层及所述掺杂碲化合物层的步骤，共制得4飞层所述有机阻挡层以及与所述掺有机阻挡层交替设置且数量相同的所述掺杂碲化合物层。
[0021]在其中一个实施例中，制备所述有机阻挡层过程中，蒸发速度为0.5A~5A/s,制得的所述有机阻挡层的厚度为20(T300nm。
[0022]在其中一个实施例中，所述掺杂碲化合物层的厚度为10(T200nm。
[0023]在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为MoO3按照25wt%的掺杂浓度掺杂AN1N1- 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-联苯_4，4' -二胺中组成的掺杂混合材料；
[0024]所述空穴传输层的材质为采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0025]所述发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；
[0026]所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉；
[0027]所述电子注入层的材质为CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入4，7_ 二苯基_1，10-菲罗啉中组成的混合材料。
[0028]上述有机电致发光器件在阴极层上设置有有机阻挡层及掺杂碲化合物层，有机阻挡层及掺杂碲化合物层构成水氧阻挡层，具有较好的防氧防水功能，分层设置的水氧阻挡层可以有效防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。上述有机电致发光器件的防水性能可达10_4g/m2.天，封装效果好，寿命可达6700小时以上。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0030]图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备流程示意图。【具体实施方式】
[0031]下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。
[0032]如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠设置的阳极基板110 (衬底和阳极导电作用)、空穴注入层120 (注入空穴，有利于空穴从阳极注入到传输材料中)、空穴传输层130 (传输空穴,有利于空穴传输到发光材料中)、发光层140 (电子和空穴在此层中复合，然后将能量转移给发光分子发光)、电子传输层150 (传输电子，有利于电子传输到发光材料中)、电子注入层160 (注入电子，有利于电子从阳极注入到传输材料中)、阴极层170 (电源为器件提供电子)及水氧阻挡层180 (阻挡水氧的物质层)。
[0033]阳极基板110的基底一般为玻璃，其上的阳极层，也就是导电层的材质一般为IT0、IZ0、AZ0、FT0等，优选ITO ;在玻璃表面制备有ΙΤ0、IZ0、AZ0、FT0层的，简称ITO玻璃、IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
[0034]空穴注入层120、空穴传输层130、电子传输层150、电子注入层160等功能层采用常用的材料制备。如空穴注入层120可以通过MoO3按照25wt%的掺杂浓度掺入N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯-4，4' -二胺(NPB)中得到；空穴传输层130可以为4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA);电子传输层150可以为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)；电子注入层160可以通过CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入Bphen中得到。此外，在其他实施方式中，该有机电致发光器件100还可以不包括空穴注入层120、空穴传输层130、电子传输层150及电子注入层160或者只包括上述其中一种、两种或三种功能层。
[0035]发光层140可以采用常用的材料制备，如发光层140的主体材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料采用三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，其中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5wt%。
[0036]阴极层170可以采用非透明金属材料制备，如铝、镍或金等，还可以采用具有介质层/金属层/介质层结构的透明材料制备，如IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS等。在本实施方式中，阴极层170的材料优选铝。
[0037]水氧阻挡层180包括依次层叠的有机阻挡层182及掺杂碲化合物层184。有机阻挡层182的材料为酞菁铜(CuPc)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1_萘基)_1，1' -联苯-4,4' -二胺(ΝΡΒ)、8-羟基喹啉-铝(Alq3)、4，f，4"-三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4，7 —二苯基一 1，10 一邻菲罗啉(BCP)。有机阻挡层182的厚度为20(T300nm。掺杂碲化合物层包括碲化物和氮化物，碲化物为Sb2Te3、Bi2Te, CdTe,In2Te3、SnTe或PbTe，氮化物为Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN，氮化物在掺杂碲化合物层中的掺杂质量浓度为10-40%。掺杂碲化合物层184的厚度为10(T200nm。
[0038]有机阻挡层182与掺杂碲化合物层184的数量相同，可以为I层或多层，优选4飞层，也即水氧阻挡层180可以由4飞层的有机阻挡层182与4飞层的掺杂碲化合物层184交替叠设而成。
[0039]上述有机电致发光器件100在阴极层170上设置有有机阻挡层182及掺杂碲化合物层184，有机阻挡层182及掺杂碲化合物层184构成水氧阻挡层180，具有较好的防氧防水功能，分层设置的水氧阻挡层180可以有效防止水氧逐渐渗透，阻挡水氧的效果更好。上述有机电致发光器件100的防水性能可达10_4g/m2 ?天，封装效果好，寿命可达6500小时以上。
[0040]此外，本实施方式还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤:
[0041]步骤S210，在阳极基板的阳极层上依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层与阴极层。
[0042]在制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层之前，优选的，还包括对阳极基板进行清洗的步骤，尤其是ITO玻璃基板。该清洗的步骤包括在超声清洗机中对阳极基板依次使用丙酮、乙醇、去离子水及乙醇清洗，每次洗涤5分钟，然后用氮气吹干，烘干后即可。
[0043]步骤S220，采用真空蒸发的方式在阴极层上制备有机阻挡层。有机阻挡层的材料为酞菁铜、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -联苯-4，4' - 二胺、8-羟基喹啉-铝、4，4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7—二苯基一 I，10 —邻菲罗啉。
[0044]优选的，在本实施方式的制备有机阻挡层过程中，蒸发速度为0.5人~5人/S，制得的有机阻挡层的厚度为20(T300nm。
[0045]步骤170S230，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备掺杂碲化合物层。掺杂碲化合物层包括碲化物和氮化物，碲化物为Sb2Te3、Bi2Te, CdTe, In2Te3、SnTe或PbTe，氮化物为Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，氮化物在掺杂碲化合物层中的掺杂质量浓度为10~40%。
[0046]优选的，在本实施方式中制备的掺杂碲化合物层的厚度为10(T200nm。
[0047]有机阻挡层及掺杂碲化合物层构成水氧阻挡层，当需要制备多层水氧阻挡层时，可以在首次制备完掺杂碲化合物层后再重复步骤S120和步骤S170数次即可。
[0048]上述有机电致发光器件的制备方法中，所述阴极层的制备还包括:在电子注入层蒸镀完毕后，先在电子注入层的表面蒸镀一层ZnS层，随后在ZnS层表面蒸镀一层Ag层,最后在再Ag层表面蒸镀一层ZnS层，完后制得阴极层。
[0049]上述制备方法原理简单，对设备要求低，可广泛推广应用。
[0050]以下为实施例部分
[0051]实施例1:
[0052]本实施例的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 阴极层 /CuPc/Sb2Te3: Si3N4 (40wt%),其中，相应层中“:”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下:
[0053]a) ITO玻璃基板前处理:在超声清洗机中依次使用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗，每次洗涤5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干；再对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数。ITO玻璃基板的厚度为IOOnm0
[0054]b)有机功能层的制备:
[0055]空穴注入层:将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂浓度30wt%，在ITO玻璃基板上采用真空蒸镀的方式制备厚度为IOnm的空穴注入层，制备过程中真空度3父10-中&，蒸发速度0.1人/5;
[0056]空穴传输层:采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作为空穴传输材料，采用真空蒸镀的方式在空穴注入层上蒸发厚度30nm的空穴传输层，其中，制备过程中真空度3X10_5Pa，蒸发速度0.1人/S;
[0057]发光层:主体材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料采用三(2-苯基吡啶)合铱(IHppy)3)，客体材料在主体材料中的掺杂浓度5wt%，采用真空蒸发的方式在空穴传输层上蒸发厚度为20nm的发光层，其中制备过程中真空度3父10-午&，蒸发速度0.2人/5;
[0058]电子传输层的制备:采用真空蒸发的方式在发光层上蒸镀一层厚度为IOnm的4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)作为电子传输层，其中，制备过程中真空度3X 10_5Pa，蒸发速度0.1人/S;
[0059]电子注入层的制备:将CsN3掺入Bphen中作为电子注入材料，掺杂浓度30wt%，在电子传输层上采用真空蒸发的方式蒸镀一层厚度为20nm的电子注入层，其中，制备过程中真空度3 X 10?,蒸发速度0.2A/S。
[0060]c)阴极层的制备:采用真空蒸发的方式在电子注入层上蒸发一层厚度为IOOnm的Al作为阴极层，其中，制备过程中真空度3父10^^，蒸发速度51/8。
[0061]d)有机阻挡层的制备:采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度300nm的CuPc作为有机 阻挡层，其中，制备过程中真空度I X 10_5Pa，蒸发速度5 A /S
[0062]e)掺杂碲化合物层的制备:掺杂碲化合物层由两种物质构成，一种为Sb2Te3,另一种为Si3N4，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备厚度200nm的掺杂碲化合物层，其中，溅射过程中本底真空度为IX 10_5Pa，Si3N4在整个掺杂碲化合物层中的掺杂浓度为30wt%。
[0063]交替重复步骤d)和e) 6次。
[0064]实施例2:
[0065]本实施例的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 阴极层/NPB/Bi2Te:AlN (10wt%),其中，相应层中“:”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下:
[0066]a)、b)、c)同实施例1 ;
[0067]d)有机阻挡层的制备:采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度250nm的NPB作为有机阻挡层，其中，制备过程中真空度5 X 10_5Pa，蒸发速度2 A /s.[0068]e)掺杂碲化合物层的制备:掺杂碲化合物层由两种物质构成，一种为Bi2Te,另一种为A1N，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备厚度IOOnm的掺杂碲化合物层，其中，溅射过程中本底真空度为I X 10_5Pa，AlN在整个掺杂碲化合物层中的掺杂浓度为10wt%。
[0069]交替重复步骤d)和e) 6次。
[0070]实施例3:
[0071]本实施例的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 阴极层/Alq3/CdTe:BN (30wt%),其中，相应层中“:”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下:[0072]a)、b)、c)同实施例1 ;
[0073]d)有机阻挡层的制备:采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度200nm的Alq3作为有机阻挡层，其中，制备过程中真空度5父10_中&，蒸发速度0.5人/5。
[0074]e)掺杂碲化合物层的制备:掺杂碲化合物层由两种物质构成，一种为CdTe，另一种为BN，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备厚度150nm的掺杂碲化合物层，其中，溅射过程中本底真空度为I X 10_5Pa，BN在整个掺杂碲化合物层中的掺杂浓度为30wt%。
[0075]交替重复步骤d)和e) 6次。
[0076]实施例4:
[0077]本实施例的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3: Bphen (30wt%) /Al 阴极层 /m_MTDATA/In2Te3:HfN(20wt%)，其中，相应层中“:”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下:
[0078]a)、b)、c)同实施例1 ;
[0079]d)有机阻挡层的制备:采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度250nm的m-MTDATA作为有机阻挡层，其中，制备过程中真空度5 X 10_5Pa，蒸发速度2A/S。 [0080]e)掺杂碲化合物层的制备:掺杂碲化合物层由两种物质构成，一种为In2Te3,另一种为HfN，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备厚度150nm的掺杂碲化合物层，其中，溅射过程中本底真空度为5X 10_5Pa，HfN在整个掺杂碲化合物层中的掺杂浓度为20wt%。
[0081]交替重复步骤d)和e) 5次。
[0082]实施例5:
[0083]本实施例的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI (5wt%) /Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al 阴极层/BCP/SnTe:TaN (25wt%),其中，相应层中“:”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下:
[0084]a)、b)、c)同实施例1 ;
[0085]d)有机阻挡层的制备:采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度250nm的BCP作为有机阻挡层，其中，制备过程中真空度5 X 10_5Pa，蒸发速度I人/S。
[0086]e)掺杂締化合物层的制备:掺杂締化合物层由两种物质构成，一种为SnTe,另一种为TaN，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备厚度120nm的掺杂碲化合物层，其中，溅射过程中本底真空度为5X 10_5Pa，TaN在整个掺杂碲化合物层中的掺杂浓度为20wt%。
[0087]交替重复步骤d)和e) 5次。
[0088]实施例6:
[0089]本实施例的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃基板/MoO3 = NPB (30wt%)/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al 阴极层/CuPc/PbTe:TiN (20wt%),其中，相应层中“:”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，具体制备过程如下:
[0090]a)、b)、c)同实施例1 ;
[0091]d)有机阻挡层的制备:采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度250nm的CuPc作为有机阻挡层，其中，制备过程中真空度I X 10_3Pa，蒸发速度2A/S。[0092]e)掺杂碲化合物层的制备:掺杂碲化合物层由两种物质构成，一种为PbTe，另一种为TiN，采用磁控溅射的方式在有机阻挡层上制备厚度IlOnm的掺杂碲化合物层，其中，溅射过程中本底真空度为lX10_3Pa，TiN在整个掺杂碲化合物层中的掺杂浓度为20wt%。
[0093]交替重复步骤d)和e) 4次。
[0094]表1为上述各实施例的防水氧性能检测数据:
[0095]表1
[0096]
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、有机阻挡层及掺杂締化合物层，其中，所述有机阻挡层的材料为酞菁铜、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -联苯-4，4' - 二胺、8-羟基喹啉-铝、4，4'，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 一二苯基一 1，10 一邻菲罗啉；所述掺杂碲化合物层包括碲化物和掺杂在所述碲化物中的氮化物，所述碲化物为Sb2Te3、Bi2Te、CdTe, In2Te3、SnTe或PbTe，所述氮化物为Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述氮化物在所述掺杂碲化合物层中的掺杂质量浓度为10-40%。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的数量为4-6层，所述掺杂碲化合物层的数量与所述有机阻挡层的数量相同，所述有机阻挡层与所述掺杂碲化合物层交替设置。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200~300nm。
4.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂碲化合物层的厚度为 100-200nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO3按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -联苯-4，4' - 二胺中组成的掺杂混合材料； 所述空穴传输层的材质为采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉； 所述电子注入层的材质为CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉中组成的混合材料。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 在阳极基板的阳极层上依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层； 采用真空蒸发的方式在所述阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材料为酞菁铜、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-联苯-4，4' - 二胺、8-羟基喹啉-铝、4,4/，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7—二苯基一 1，10 —邻菲罗啉； 采用磁控溅射的方式在所述有机阻挡层上制备掺杂碲化合物层，所述掺杂碲化合物层包括碲化物和掺杂在所述碲化物中的氮化物，所述碲化物为Sb2Te3、Bi2Te, CdTe, In2Te3、SnTe或PbTe，所述氮化物为Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN，所述氮化物在所述掺杂碲化合物层中的掺杂质量浓度为10-40%。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括重复制备所述有机阻挡层及所述掺杂碲化合物层的步骤，共制得4飞层所述有机阻挡层以及与所述掺有机阻挡层交替设置且数量相同的所述掺杂碲化合物层。
8.如权利要求6或7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，制备所述有机阻挡层过程中，蒸发速度为0.5人~5A/S,制得的所述有机阻挡层的厚度为200-300nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂碲化合物层的厚度为10(T200nm。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO3按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' _联苯-4，4' _ 二胺中组成的惨杂混合材料； 所述空穴传输层的材质为采用4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺； 所述发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉； 所述电子注入层的材质为CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉中组成的混合材料。
【文档编号】C09K11/06GK103904241SQ201210572062
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月25日 优先权日:2012年12月25日
【发明者】周明杰, 王平, 钟铁涛, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司