1.一种线切割制备金属表面有序微纳超疏水结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)对电火花线切割电加工参数脉宽、脉宽间隔、功率管数进行正交优化，找出最优加工工艺参数；
2)根据最优加工工艺参数通过电火花线切割在金属表面加工出陈列方柱结构；
3)将陈列方柱结构进行表面氟硅烷处理，获得金属表面有序微纳超疏水结构。
2.根据权利要求1所述的线切割制备金属表面有序微纳超疏水结构的方法，其特征在于，所述脉宽、脉宽间隔、功率管数的范围分别为5-30μs、100-300μs、2-6。
3.根据权利要求1所述的线切割制备金属表面有序微纳超疏水结构的方法，其特征在于，所述正交优化采用L9(34)正交表，安排九组实验在金属上加工平面，通过电火花放电在平面上产生烧蚀的纳米级凹坑，以经修饰的加工平面上的接触角为优化目标，找出最优加工工艺参数。
4.根据权利要求1所述的线切割制备金属表面有序微纳超疏水结构的方法，其特征在于，所述陈列方柱结构为微米级阵列方柱结构，方柱表面有纳米级凹坑，方柱底面边长x为100-300μm，方柱间距y为400-700μm，方柱高度z为100-300μm。
5.根据权利要求1所述的线切割制备金属表面有序微纳超疏水结构的方法，其特征在于，所述陈列方柱结构进行表面氟硅烷处理的具体过程为：将陈列方柱结构置于20mmol/L氟硅烷的醇溶液中浸泡10h，然后在真空干燥箱中干燥2h。
6.根据权利要求1或5所述的线切割制备金属表面有序微纳超疏水结构的方法，其特征在于，所述氟硅烷为1H,1H,2H,2H—全氟癸基三氯硅烷。