石墨烯纳米带及其制备方法

石墨烯纳米带及其制备方法
【专利摘要】本发明属于石墨烯材料【技术领域】，具体涉及一种石墨烯纳米带及其制备方法。石墨烯纳米带的导电率为112S/cm~500S/cm，比表面积为312m2/g~700m2/g，密度为0.4g/cm-3~1.2g/cm-3，长度为200nm~50μm，制备此石墨烯纳米带的技术方案为：将一定浓度的氧化石墨烯溶液迅速冷冻固化，使氧化石墨烯折叠收缩形成带状结构，再进行冷冻干燥，即为氧化石墨烯纳米带，最后将其经还原处理得到石墨烯纳米带。本发明制备的石墨烯纳米带可广泛应用于导热复合材料、储能材料、吸附材料、超级电容器电极材料等领域，并且制备石墨烯纳米带的方法简单，成本较低，有望实现石墨烯纳米带的大规模生产。
【专利说明】石墨烯纳米带及其制备方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及石墨烯材料制备【技术领域】，具体涉及一种导电率高、比表面积大、低密度的石墨烯纳米带及其制备方法。

【背景技术】
[0002]石墨烯是由单层碳原子组成的二维晶体，具有超高比表面积、优良的导电、导热性能以及超高的机械强度等优异的性能，因此使其在很多领域有良好的应用前景，例如:场效应晶体管、高频器件、超级微处理器和单分子探测器、可控透气膜、各向异性离子传导体、超级电容器等领域。然而石墨烯应用的一大阻碍问题就是石墨烯宏观结构的组装，目前在石墨烯薄膜以及块体组装方面有较多成功案例，但目前石墨烯纳米带的制备方法较少。
[0003]
【发明者】闵永刚, 范天举, 宋建军, 刘屹东 申请人:南京新月材料科技有限公司, 盐城增材科技有限公司, 鑫月华科技（杭州）有限公司