包括再分布层的半导体器件的制作方法

文档序号:11954846阅读:来源:国知局
技术总结
公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括第一再分布层,所述第一再分布层被配置用来允许通过第一再分布层输入和输出第一信号。半导体器件可以包括第二再分布层,所述第二再分布层被配置用来允许通过第二再分布层输入和输出信号。半导体器件可以包括第一输入/输出(I/O)单元,所述第一输入/输出(I/O)单元被配置用来通过第一I/O单元输入和输出第一信号或者第二信号。半导体器件包括第一选择单元,所述第一选择单元被配置用来响应第一选择信号的逻辑电平以选择性地耦接第一再分布层、第二再分布层和第一I/O单元之间的连接。半导体器件可以包括被配置用来产生第一选择信号的第一选择信号发生单元。

技术研发人员:金泰均
受保护的技术使用者:爱思开海力士有限公司
文档号码:201510293448
技术研发日:2015.06.01
技术公布日:2016.12.07

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