1.一种数据存储装置，包括：
存储器裸芯，其包括：
NAND闪存存储器；
电阻式随机存取存储器(ReRAM)；以及
接口，所述接口耦接到所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)和所述NAND闪存存储器，其中所述接口配置为支持数据在所述NAND闪存存储器与所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)之间的芯片上复制。
2.如权利要求1所述的数据存储装置，其中所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)配置为存储所述数据的芯片上复制。
3.如权利要求2所述的数据存储装置，其中所述数据与所述NAND闪存存储器处执行的读取操作相关。
4.如权利要求2所述的数据存储装置，其中所述数据与所述NAND闪存存储器处执行的写入操作相关。
5.如权利要求4所述的数据存储装置，其中在将修改的数据存储在所述NAND闪存存储器中之前，在所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)中修改所述数据的芯片上复制。
6.如权利要求5所述的数据存储装置，其中响应于检测所述数据中的错误，修改所述数据的芯片上复制。
7.如权利要求4所述的数据存储装置，其中响应于所述写入操作期间停电事件的发生，将所述数据的芯片上复制的至少一部分写入到所述NAND闪存存储器。
8.如权利要求1所述的数据存储装置，其中所述存储器裸芯还包含数据锁存器。
9.如权利要求8所述的数据存储装置，还包括控制器，所述控制器配置为发送第一码字到与写入操作相关的数据锁存器，并且从与读取操作相关的数据锁存器接收第二码字。
10.如权利要求1所述的数据存储装置，其中所述接口包含位级连接，以允许所述NAND闪存与所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)之间的所述数据的位级转移。
11.如权利要求1所述的数据存储装置，其中所述接口包含字节级并行接口，以允许所述NAND闪存与所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)之间的所述数据的字节级转移。
12.一种数据存储装置，包括：
控制器；以及
存储器裸芯，包括：
NAND闪存存储器；
电阻式随机存取存储器(ReRAM)；以及
接口，所述接口耦接到电阻式随机存取存储器(ReRAM)和所述NAND闪存存储器，其中所述接口配置为支持所述NAND闪存存储器与所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)之间的数据的芯片上复制。
13.如权利要求12所述的数据存储装置，其中所述NAND闪存存储器具有三维(3D)配置，所述三维(3D)配置单片地形成在存储器单元的阵列的一个或多个物理级中，所述存储器单元具有设置在硅基板之上的有源区域，并且其中所述NAND闪存存储器包含与所述存储器单元的操作有关的电路。
14.如权利要求12所述的数据存储装置，其中所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)具有三维(3D)配置，所述三维(3D)配置单片地形成在存储器单元的阵列的一个或多个物理级中，所述存储器单元具有设置在硅基板之上的有源区域，并且其中所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)包含与所述存储器单元的操作相关的电路。
15.一种方法，包括：
在包含存储器裸芯的数据存储装置处执行：
接收要存储在NAND闪存存储器处的数据；以及
在将所述数据存储在所述NAND闪存存储器之前，将所述数据的芯片上复制存储在电阻式随机存取存储器(ReRAM)中，
所述存储器裸芯包含所述NAND闪存存储器、所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)以及接口，所述接口配置为支持所述NAND闪存存储器与所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)之间的数据的芯片上复制。
16.如权利要求15所述的方法，还包括在将修改的数据存储在所述NAND闪存存储器中之前，修改所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)中的所述数据的芯片上复制。
17.如权利要求16所述的方法，还包括在读取操作期间从所述NAND闪存存储器接收第二数据，并且将所述第二数据的第二芯片上复制存储在所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)中。
18.如权利要求15所述的方法，还包括响应于停电事件，将所述数据的芯片上复制的至少一部分存储在所述NAND闪存存储器中。
19.如权利要求15所述的方法，其中从控制器接收所述数据。
20.如权利要求15所述的方法，其中将所述数据的芯片上复制存储在所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)中包括从数据锁存器的集取回所述数据，并且将所述取回的数据存储在所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)中。