为6皿左右的具有fee结构的晶 质的Ag-Al微粒和晶界宽度为1至2nm左右的非晶质的Ge晶界。此时，间距分散为11至 12%左右，为低间距分散。另一方面，关于比较例9的介质的种子层，可W看出，AgGe膜包含 粒径为6nm左右的晶质的Ag微粒和晶界宽度为1至2nm左右的非晶质的Ge晶界。但是， 可W看出，间距分散为19%左右，与实施例1、7至10的介质相比间距变差。接着，关于比较 例1〇、11的介质的种子层，AgGe-Al膜并不取微粒和晶界结构，而是取在膜面同样的非晶结 构。运可W认为是作为添加物质的Al的量过多，从而微粒结构受到破坏。
[00巧]对于运些介质，与实施例1同样，测定记录再现特性。如下述表3,可W看出，实施 例1、7至11的介质，与比较例9至11的介质相比具有良好的记录再现特性。
[0096]表 3
[0097]
[0098] 实施例11至13、比较例12至17
[0099] 除了使用AgGe-Al祀而形成种子层5W外，与实施例1同样地制作，获得具有与图 1同样的构成的实施例11至13、比较例12至17设及的垂直磁记录介质，所述AgGe-Al祀 使种子层的Ge的组分量改变为40原子％至85原子％。
[0100] W下示出实施例11至13W及比较例12至17的构成。 阳101] 非磁性玻璃基板1/化Ti紧密附着层2/Co化化Zr软磁性层3/NiW取向控制层4/ AgGe-Al非磁性种子层5/Ru非磁性中间层6/Co化Pt-Si〇2垂直磁记录层7/C保护层8 [0102] 对运些介质的种子层5,进行平面方向的TEM分析W及TEM-EDX分析。关于实施例 1、11至13的介质的种子层，可W看出，AgGe-Al膜包含粒径为6nm左右的具有fee结构的 晶质的Ag-Al微粒和晶界宽度为1至化m左右的非晶质的Ge晶界。此时，间距分散为11至 12%左右，为低间距分散。另一方面，关于比较例12至14的介质的种子层，可W看出，取得 几个Ag-Al微粒相连的结构。运可W认为是由于作为晶界物质的Ge量过少，不能充分地将 Ag-Al微粒间分离。接着，关于比较例15至17的介质的种子层，可W看出，AgGe-Al膜并不 取微粒和晶界结构，而是取在膜面同样的非晶结构。运可W认为是作为晶界物质的Ge量过 多，从而微粒结构受到破坏。对于运些介质，与实施例1同样，检查记录再现特性。如表4， 可W看出，实施例1、11至13的介质，与比较例12至17的介质相比具有良好的记录再现特 性。 阳10引表4阳104]
阳105]实施例14至18、比较例18至19
[0106] 除了使用AgGe-A^Si祀来形成种子层5W外，与实施例1同样地制作，获得具 有与图1同样的构成的实施例14至18、比较例18至19设及的垂直磁记录介质，所述AgGe-A^Si祀对种子层还添加Si、使其Si的组分量改变为0原子％至30原子％。 阳107] W下示出实施例14至18 W及比较例18至19的构成。
[0108] 非磁性玻璃基板1/化Ti紧密附着层2/Co化化Zr软磁性层3/NiW取向控制层4/ AgGe-A^Si非磁性种子层5/Ru非磁性中间层6/Co化Pt-Si化垂直磁记录层7/C保护层8
[0109] 对运些介质的种子层5,进行平面方向的TEM分析W及TEM-EDX分析。关于实施 例14至18的介质的种子层，可W看出，AgGe-A^Si膜包含粒径为6皿左右的具有fee结 构的晶质的Ag-Al微粒和晶界宽度为1至2nm左右的非晶质的Ge-Si晶界。此时，间距分 散为11至12%左右（垂直磁记录层为12至13%)，为低间距分散。另一方面，关于比较例 18至19的介质的种子层，可W看出，AgGe-A^Si膜并不取微粒和晶界结构，而是取在膜面 同样的非晶结构。运可W认为是作为晶界物质的Ge-Si量过多，从而微粒结构受到破坏。
[0110] 对于运些介质，与实施例1同样，检查垂直磁记录层的晶体取向性、平均间距、间 距分散、记录再现特性。如表5,可W看出，实施例14至18的介质，与比较例18、19的介质 相比具有良好的记录再现特性。
[0111]表5 阳112]
阳113]实施例19至21
[0114] 除了使种子层的组分如下述表6那样变化W外，与实施例1同样地制作，获得具有 与图1同样的构成的实施例19至21设及的垂直磁记录介质100。 阳115] W下示出实施例19至21的构成。
[0116] 非磁性玻璃基板1/化Ti紧密附着层2/Co化化Zr软磁性层3/NiW取向控制层4/ AgGe-X-Si非磁性种子层5狂=Al、Mg、Au、Ti)/Ru非磁性中间层6/CoCrPt-Si〇2垂直磁记 录层7/C保护层8
[0117] 对于运些介质，与实施例1同样，检查垂直磁记录层的晶体取向性、平均间距、间 距分散、记录再现特性。如下述表6,可W看出，实施例19至21的介质，与比较例的介质相 比，具有良好的记录再现特性。 阳11引表6阳119]
[0120] 对本发明的几种实施方式进行了说明，但是运些实施方式是作为例子而提示的， 并非要限定发明的范围。运些新颖的实施方式能够W其他各种方式实施，在不脱离发明的 主旨的范围，能够进行各种省略、置换、变更。运些实施方式和/或其变形，包括于发明的范 围和/或主旨中，并且包括于技术方案所记载的发明及其均等的范围中。
【主权项】
1. 一种磁记录介质，其特征在于，具备： 非磁性基板； 取向控制层，其形成于该非磁性基板上，包含具有面心立方晶格结构的镍合金或银合 金； 非磁性种子层，其在该取向控制层上接触而形成，包含银、锗和选自包括铝、镁、金以及 钛的组中的至少一种金属X; 非磁性中间层，其形成于该非磁性种子层上，包含钌或钌合金；以及 磁记录层，其形成于该非磁性中间层上。2. -种磁记录介质，其特征在于，具备： 非磁性基板； 取向控制层，其形成于该非磁性基板上，包含具有面心立方晶格结构的镍合金或银合 金； 非磁性种子层，其在该取向控制层上接触而形成，包含银、锗、硅和选自包括铝、镁、金 以及钛的组中的至少一种金属X; 非磁性中间层，其形成于该非磁性种子层上，包含钌或钌合金；以及 磁记录层，其形成于该非磁性中间层上。3. 根据权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于， 所述非磁性种子层包含微粒和设置于该微粒间的非晶质的锗硅晶界，所述微粒具有面 心立方晶格结构，该面心立方晶格结构包含银和选自包括铝、镁、金以及钛的组中的金属X。4. 根据权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于， 相对于所述非磁性种子层中的银、锗、金属X和硅的合计的原子量，硅的含有量为20原 子％以下。5. 根据权利要求1~4中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于， 所述非磁性种子层包含微粒和设置于该微粒间的非晶质的锗晶界，所述微粒具有面心 立方晶格结构，该面心立方晶格结构包含银和选自包括铝、镁、金以及钛的组中的金属X。6. 根据权利要求1~4的任意一项所述的磁记录介质，其特征在于， 相对于所述非磁性种子层中的银、锗和金属X的合计的原子量，金属X的含有量为3~ 20原子％。7. -种磁记录再现装置，其特征在于，具备： 权利要求1~4中的任意一项所述的磁记录介质； 对所述磁记录介质进行支持和旋转驱动的机构； 磁头，其具有用于对所述磁记录介质进行信息的记录的元件及用于进行所记录的信息 的再现的元件；以及 滑架组件，其将所述磁头支持为相对于所述磁记录介质自由移动。
【专利摘要】本发明提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。
【IPC分类】G11B5/733, G11B5/48, G11B5/66
【公开号】CN105321536
【申请号】CN201410742709
【发明人】岩崎刚之, 藤本明
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年12月8日
【公告号】US20160035382