专利名称：一种表面活性剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及活性剂，尤其涉及一种表面活性剂组合物，主要用于半导体材料，如硅片、锗片、砷化镓片等材料表面的清洗和存放。
背景技术：
目前的表面活性剂借助相应的清洗设备难以去除半导体材料上，如硅片、锗片、砷化镓等材料表面上和超大规模集成电路表面上及凹槽内的颗粒、有机物以及残留的磨料颗粒等污染物，和清洗后，难以维持清洗过的表面长时间不吸附颗粒。如果清洗后，所述物上还存在颗粒与污染物，颗粒下面的半导体材料不能得到掺杂，会造成底击穿、管道击穿，将会对集成电路芯片产生致命影响，甚至导致器件失效。因此，去除表面的污染物，已经成为半导体工业发展的一个十分重要的问题。
在国内的表面活性剂中有些产品PH为酸性，对设备造成腐蚀，如3F活性剂。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的上述缺陷，提供一种表面活性剂组合物。
本发明的技术方案为了满足有效地去除颗粒污染，达到半导体材料表面降低能量的稳态要求，同时又要与分子间范德华力的物理吸附状态相吸附，在水溶液中不电离，其疏水基为烷基，亲水基为醚醇基，在水溶液中呈电中性，能够降低溶液的表面张力，其亲水基和增水基相互配合，能够将吸附在半导体材料表面及划痕中的污染物托起，并且在表面形成保护层，防止污染物二次吸附，能够起到强渗透作用，并且作为添加剂加入到半导体材料的加工耗材中，起到增加质量交换，提高悬浮性功效。
因此，本发明含有多元醇类表面活性剂中的吐温系列、聚氧乙烯醚类表面活性剂中的JFC系列、平平加系列、Oπ系列中的一种系列和纯水；其重量配比所述表面活性剂为5～20％、纯水为80～95％。
本发明的有益效果是能够降低待洗表面张力，增强渗透性，能有效去除半导体材料表面的颗粒，并维持清洗过的表面长时间不吸附颗粒，可提高抛光速率，不易燃烧，无污染。
具体实施例方式
实例1含有聚氧乙烯醚类表面活性剂中平平加系列的平平加0-20-脂肪醇聚氧乙烯(20)醚-R＝C12-18H25-37的RO(CH2CH2O)20H、聚氧乙烯醚类表面活性剂中JFC系列的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物-R-O(C2H4O)nH和纯水，其重量配比分别为15％、5％、80％。
实例2含有多元醇型表面活性剂中吐温系列的吐温-80、聚氧乙烯醚类表面活性剂中JFC系列的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物-R-O(C2H4O)nH和纯水，其重量配比分别为14％、6％、80％，实例3含有多元醇型表面活性剂中Oπ系列的Oπ-7、聚氧乙烯醚类表面活性剂中JFC系列的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物-R-O(C2H4O)nH和纯水，其重量配比分别为12％、3％、85％，工艺流程取料→加热50℃～100℃水溶→冷却至室温→200目过滤→灌装。
上述组分都为商品。其应用实例1表面活性剂存放时间抛光后，立即将芯片放入复合活性剂溶液内存放，N(100)，P(111)，各100片(4盒)，放置12h、24h、48h、72h、120h后进行清洗，其结果如表1所示表1加活性剂表面与不加活性剂表面吸附合格百分数对比
合格标准SEMI标准粒径＞0.5μm，颗粒＜10个/片；ULSI最高要求粒径＞0.2μm，颗粒＜10个/片。
其应用实例2活性剂出去表面颗粒实例大于0.2μm的颗粒，均＜10个/片；粒径小于0.3μm，平均为1.1个/片，远远优于SEMI国际标准。
表2清洗后存留吸附物的颗粒数及粒径
其应用实例3活性剂作为抛光液的添加剂的实例表3抛光速率及颗粒残留对比
权利要求
1.一种表面活性剂组合物，其特征是含有多元醇类表面活性剂中的吐温系列、聚氧乙烯醚类表面活性剂中的JFC系列、平平加系列、Oπ系列中的一种和纯水；其重量配比表面活性剂为5～20％、纯水为80～95％。
2.根据权利要求1所说的一种表面活性剂组合物，其特征是含有其平平加系列中的平平加0-20-脂肪醇聚氧乙烯(20)醚、其JFC系列中的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物---R＝C12-18H25-3的R-O(C2H4O)nH和纯水；其重量配比分别为15％、5％、80％。
3.根据权利要求1所说的一种表面活性剂组合物，其特征是含有其吐温系列中的吐温-80、其JFC系列中的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物--R-O(C2H4O)nH和纯水；其重量配比分别为14％、6％、80％。
4.根据权利要求1所说的一种表面活性剂组合物，其特征是含有其Oπ系列中的Oπ-7、其JFC系列中的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物---R-O(C2H4O)nH和纯水；其重量配比分别为12％、3％、85％。
全文摘要
本发明涉及活性剂，尤其涉及一种表面活性剂组合物，主要用于半导体材料，如硅片、锗片、砷化镓等材料表面的清洗和存放。它含有多元醇类表面活性剂中的吐温系列、聚氧乙烯醚类表面活性剂中的JFC系列、平平加系列、Oπ系列中的一种和纯水；其重量配比表面活性剂为5～20％、纯水为80～95％。其有益效果是水溶性好，能够降低表面张力，渗透性强，能有效去除半导体材料表面的颗粒和有机物，并维持清洗过的表面长时间不吸附颗粒，还可提高抛光速率，且无污染，不易燃烧。
文档编号H01L21/304GK1940044SQ200610084300
公开日2007年4月4日 申请日期2006年6月2日 优先权日2006年6月2日
发明者仲跻和 申请人:天津晶岭电子材料科技有限公司