专利名称：主动元件阵列基板及其检测方法
技术领域：
本发明涉及一种主动元件阵列基板及其检测方法，特别是涉及能够防止静电通过
检测垫击伤电路的一种主动元件阵列基板及其检测方法。
背景技术：
由于主动式平面显示面板具有体积小、重量轻且反应速度快等优点，因此目前已被广泛地应用于各种电子产品中。主动式平面显示面板是由主动元件阵列基板、显示层以及透光基板所构成，其中显示层是位于主动元件阵列基板与透光基板之间，如液晶显示面板(liquid crystal displaypanel， LCD panel)的液晶层、电泳显示面板(elector-phoretic displaypanel, EPD panel)的电泳层等。 请参阅图l所示，是现有习知的主动元件阵列基板的示意图。现有习知的主动元件阵列基板IOO具有显示区102与周边电路区104，其中显示区102内配置有多个像素(像素又称为画素，本文均称为像素)单元IIO，而周边电路区104内则配置有多条信号(或称为讯号)导线120，用以将显示区102内的像素单元110电性连接至驱动电路130。
以现行的主动式平面显示面板的制造过程来说，在完成主动元件阵列基板100上的所有电路配置之后，通常会接着进行电路检测来确认主动元件阵列基板100上的电路是否有缺陷存在，因此主动元件阵列基板100的周边电路区104内会设置有检测垫140，检测工具(如探针，图未示)即是通过检测垫140而与主动元件阵列基板100上的电路电性连接。 然而，不论是制造设备、操作人员以及主动元件阵列基板100本身都可能会累积许多静电荷。因此，当主动元件阵列基板100在制造过程中接触到制造设备、操作人员或其他物体时，这些静电荷往往容易经由这些带电体而传至主动元件阵列基板100上，并通过检测垫140经信号导线120传至显示区102内的电路，因而造成显示区102内的电路遭受静电击伤而损坏主动元件阵列基板100。 请参阅图2所示，是图1的主动元件阵列基板沿I-I'线的剖面示意图。如图1及图2所示，为了避免主动元件阵列基板100上的静电荷通过检测垫140散逸至显示区102内，习知技术是先在信号导线120上形成介电层125，在信号导线120上方的介电层125上形成检测垫140。换言之，检测垫140与信号导线120之间隔有介电层125，以避免静电荷直接由检测垫140经信号导线120传导至显示区102内的电路。检测垫140上则依序形成有具有开口 152的介电层150及导电层160，且导电层160是通过介电层150的开口 152而与检测垫140电性连接。当欲进行检测时，可利用激光熔接检测垫140与信号导线120，再将检测工具与导电层160电性接触，即可对主动元件阵列基板100上的电路进行检测。
然而，在未利用激光(激光又称为雷射光，本文均称为激光)熔接检测垫140与信号导线120之前，由于检测垫140、介电层125与信号导线120是构成电容C，因此虽然静电荷不会直接从检测垫140传至信号导线120，但是当检测垫140上累积过多的静电荷时，将会在瞬间发生静电击穿的现象，因而对主动元件阵列基板100上的电路造成更大的损伤。
由此可见，上述现有的主动元件阵列基板及其检测方法在产品结构、检测方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的主动元件阵列基板及其检测方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的主动元件阵列基板存在的缺陷，而提供一种新的主动元件阵列基板，所要解决的技术问题是使其具有低静电击伤率低与高电路稳定性。
本发明的另一 目的在于，克服现有的检测方法存在的缺陷，而提供一种新的检测方法，所要解决的技术问题是使其以降低上述主动元件阵列基板的静电击伤率，进而提高其电路稳定性。 本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。为达到上述目的，依据本发明的一种主动元件阵列基板，具有一显示区与一周边电路区，且此主动元件阵列基板包括多个像素单元、多条信号导线、多个检测垫以及第一介电层。其中，上述像素单元是以阵列的方式排列于显示区内，上述信号导线与检测垫则是配置于周边电路区内，且第一介电层是覆盖住上述检测垫。 在本发明的较佳实施例中，上述各检测垫均与上述信号导线其中之一电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。为达到上述目的，依据本发明的一种检测方法，适于检测上述主动元件阵列基板，此检测方法是先移除部分的第一介电层，以暴露出至少一检测垫，接着再将检测工具与暴露出的检测垫电性接触。
在本发明的较佳实施例中，上述移除部分的第一介电层的方法包括激光移除。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。为达到上述目的，在本发明的较佳实施例中，上述的主动元件阵列基板还包括第二介电层以及导电层，其中第二介电层是配置于上述检测垫与信号导线之间，而导电层则是配置于检测垫上方的第一介电层上。 本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。为达到上述发明目的，依据本发明提出的一种检测方法，适于检测上述主动元件阵列基板，此检测方法是将导电层与上述检测垫至少其中之一熔接在一起，并且将熔接至导电层的检测垫与位于其下方的信号导线熔接在一起。之后，将检测工具与上述导电层电性接触。
在本发明的较佳实施例中，熔接导电层与检测垫的方法包括激光熔接。
在本发明的较佳实施例中，熔接检测垫与信号导线的方法包括激光熔接。
在本发明的较佳实施例中，上述导电层的材料例如是透明导电材料，如铟锡氧化物(Indium Tin 0xide， IT0)、铟锌氧化物(Indium Zinc 0xide， IZ0)、氧化锌(Zinc 0xide，Zn0)或铟镓锌氧化物(Indium Gallium ZincOxide， IGZ0)。 在本发明的较佳实施例中，上述主动元件阵列基板更包括多个驱动晶片，配置于上述周边电路区内，且上述驱动晶片是分别通过上述信号导线而电性连接至上述像素单元。
借由上述技术方案，本发明主动元件阵列基板及其检测方法至少具有下列优点及有益效果在本发明的主动元件阵列基板中，由于检测垫在进行检测过程前是藉由介电层的保护而与外界电性绝缘，因此能够防止主动元件阵列基板上的静电荷由检测垫经信号导线传入像素单元内，以避免像素单元遭受静电击伤。 综上所述，本发明主动元件阵列基板具有显示区与周边电路区，且此主动元件阵列基板包括多个像素单元、多条信号导线、多个检测垫以及第一介电层。像素单元是以阵列的方式排列于显示区内，信号导线与检测垫则是配置于周边电路区内，且第一介电层是覆盖住检测垫。此主动元件阵列基板的检测方法则是先移除部分的第一介电层，以暴露出欲与检测工具电性接触的检测垫。也就是说，在进行检测之前，检测垫是与外界电性绝缘，因而能够避免静电荷由检测垫经信号导线对像素单元造成静电击伤，以提高主动元件阵列基板的电路稳定性。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。 上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
示意图,
图1是习知技术的主动元件阵列基板的示意图。图2是图1的主动元件阵列基板沿I-I'线的剖面示意图。图3是本发明的主动元件阵列基板在一实施例中的示意图。
图4是本发明的主动元件阵列基板在一实施例中在配置有检测垫之处的剖面示
图5A与图5B分别是本发明的主动元件阵列基板在其他实施例中的示意图。图6A至图6B是图3的主动元件阵列基板在检测过程中的部分剖面示意图。图7是本发明的主动元件阵列基板在另一实施例中在配置有检测垫之处的剖面
图8A至图8B是本发明的主动元件阵列基板在另一实施例中在检测过程中的部分
剖面示意图,
100、300 :主动元件阵列基板104、304 :周边电路区120、320 :信号导线130 、350 :驱动电路152 :开口
扫瞄配线主动元件
312316340710
第一介电层第二介电层
102、302 :显示区
110、310 :像素单元
125U50 :介电层140、330 :检测垫160、720 :导电层
314 :资料配线318 :像素电极
600、800 :检测工具810、820 :激光光
C:电容
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的主动元件阵列基板及其检测方法其具体实施方式
、结构、检测方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。 请参阅图3及图4，图3是本发明的主动元件阵列基板在一实施例中的示意图，图4则绘示为本发明的主动元件阵列基板在一实施例中于配置有检测垫之处的剖面示意图。本发明一实施例中的主动元件阵列基板300具有显示区302与周边电路区304，且主动元件阵列基板300包括多个像素单元310、多条信号导线320、多个检测垫330以及第一介电层340。 上述的像素单元310是以阵列的方式配置于显示区302内。 上述的每一像素单元310包括扫瞄配线(scan line) 312、资料配线(dataline) 314、主动元件316以及像素电极(pixel electrode) 318。 该扫瞄配线312与资料配线314彼此垂直，而主动元件316与像素电极318则是配置于扫瞄配线312与资料配线314所围成的区域内，并与扫瞄配线312、资料配线314及像素电极318电性连接。在本实施例中，主动元件316可以是薄膜电晶体(thin filmtransistor, TFT)或其他主动式开关元件。 上述的信号导线320是配置于主动元件阵列基板300的周边电路区304内，且显示区302内的这些像素单元310是藉由信号导线320而与周边电路区304内的电路电性连接。以本实施例来说，像素单元310即是藉由信号导线320电性连接至驱动电路350。也就是说来说，驱动电路350所输出的信号是经由信号导线320而传输至像素单元310的扫瞄配线312或资料配线314，以驱动像素单元310。 上述的检测垫330同样是配置于周边电路区304内，且如图4所示，本实施例的检测垫330与信号导线320是位于同一膜层，并彼此电性连接。值得一提的是，本发明并不限定检测垫330的形状轮廓，其可以是如图3所示的椭圆形，也可以是图5A所示的四边形或图5B所示的具有弧形曲线的四边形。 上述的第一介电层340是覆盖于检测垫330上，且第一介电层340并未具有任何暴露出检测垫330的开口。如此一来，存在主动元件阵列基板100上的静电荷即无法经由检测垫330传至显示区302内。也就是说，本实施例的第一介电层340可以作为检测垫330的电性保护层，以避免静电荷经由检测垫330与信号导线320传至显示区302内而使像素单元310遭受静电击伤。在本实施例中，由于检测垫330与信号导线320同层，因此第一介电层340亦同时覆盖住信号导线320。 以下将举实施例说明上述主动元件阵列基板的检测方法。请参阅图6A至图6B所示，是图3的主动元件阵列基板在检测过程中的部分剖面示意图。如图6A所示，当欲通过检测垫330对显示区302内的电路进行检测时，则需先移除部分的第一介电层340，以暴露出欲与检测工具电性接触的检测垫330。在本实施例中，其例如是以激光移除的方法来移除部分的第一介电层340。 如图6B所示，接着即是将检测工具600与暴露于第一介电层340外的检测垫330电性接触。熟习此技术者应该知道，检测工具600可以是连接至检测机台(图未示)的探针(probe)，用以将检测信号通过检测垫330与信号导线320输入至显示区302内的像素单元310，以对各像素单元310的电性进行检测。除此之外，检测工具600也可以是连接至电性量测表(如三用电表)的探针，用以通过检测垫330来检测信号导线320是否存在短路或断路的异常情况。 请参阅图7所示，是本发明的主动元件阵列基板在另一实施例中于配置有检测垫之处的剖面示意图。以下仅针对本实施例与前述实施例的相异处加以说明，其余与前述实施例的标号相同的元件，请参照前述实施例的说明，以下不再赘述。 如图7所示，本实施例的主动元件阵列基板除了包括有图3与图4所示的像素单元310、信号导线320、检测垫330及第一介电层340之外，更包括第二介电层710与导电层720。其中，第二介电层710是配置于检测垫330与信号导线320之间，也就是说，本实施例的检测垫330与信号导线320并不同层。而导电层720则是配置于检测垫330上方的第一介电层340上。 请同时参阅图3与图7所示，在未进行检测前，本实施例的检测垫330并未与信号导线320电性连接，因此即使累积于导电层720的静电荷击穿至检测垫330，其亦不会由检测垫330经信号导线320进入至显示区302内的电路，因而能够保护显示区302内的像素单元310免于遭受静电击伤。 以下将举实施例说明上述主动元件阵列基板的检测方法。请参阅图8A至图8B所示，是本发明的主动元件阵列基板在另一实施例中在检测过程中的部分剖面示意图。如图8A所示，当欲通过检测垫330对显示区302内的电路进行检测时，则需将导电层720与检测垫330熔接在一起，并且将检测垫330与信号导线320熔接在一起。其中，本实施例例如是以激光熔接的方式熔接导电层720与检测垫330以及检测垫330与信号导线320。详细来说，以激光熔接导电层720与检测垫330的方法例如是令激光810从导电层720上方入射。而如欲熔接检测垫330与信号导线320，则需令激光820从信号导线320的下方入射。
如图8B所示，在完成导电层720与检测垫330以及检测垫330与信号导线320的熔接之后，接着即是将检测工具800与导电层720电性接触，以便于通过检测工具800对主动元件阵列基板700上的电路进行检测。如同前述实施例所述，检测工具800可以是连接至检测机台的探针，也可以是连接至电性量测表的探针，熟习此技术者可以自行依据检测过程所需来选择所欲使用的检测工具800。 由上述可知，本发明的主动元件阵列基板是将介电层覆盖在检测垫上，以作为检测垫的电性保护层。在对本发明的主动元件阵列基板进行检测的过程中，若检测垫与信号导线同层，且检测垫上方的介电层上未配置有任何膜层，则仅需将检测垫上方的介电层移除即可暴露出欲与检测工具电性接触的检测垫。另一方面，若检测垫与信号导线不同层，且检测垫上方的介电层上配置有导电层，则可先后将导电层与检测垫及检测垫与信号导线熔接在一起后，再令检测工具与熔接至检测垫的导电层电性接触，即可对主动元件阵列基板上的电路进行检测。 综上所述，本发明的主动元件阵列基板在进行检测过程前，其检测垫是藉由介电层的保护而与外界电性绝缘，因而能够防止主动元件阵列基板上的静电荷由检测垫经信号导线传入像素单元内，以避免像素单元遭受静电击伤，并藉此提高主动元件阵列基板的电路稳定性。 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人 员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更 动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的 技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案 的范围内。
权利要求
一种主动元件阵列基板，具有一显示区与一周边电路区，其特征在于该主动元件阵列基板包括多个像素单元，阵列排列于该显示区内；多条信号导线，配置于该周边电路区内，并电性连接至所述像素单元；多个检测垫，配置于该周边电路区内；以及一第一介电层，覆盖所述检测垫。
2. 根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于其中所述的检测垫是分别与 所述信号导线其中之一电性连接。
3. 根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于其还包括 一第二介电层，配置于所述检测垫与所述信号导线之间；以及 一导电层，配置于所述检测垫上方的该第一介电层上。
4. 根据权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于其中所述的导电层的材料为 透明导电材料。
5. 根据权利要求4所述的主动元件阵列基板，其特征在于其中所述的导电层的材料为 铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或铟镓锌氧化物。
6. 根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于其还包括多个驱动晶片，配 置于该周边电路区内，且所述驱动晶片是分别通过所述信号导线而电性连接至所述像素单 元。
7. —种检测方法，适于检测权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于该检测方法包括以下步骤移除部分的该第一介电层，以暴露出所述检测垫至少其中之一 ；以及 将一检测工具与暴露出的该检测垫电性接触。
8. 根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于其中所述的移除部分的该第一介电层 的方法包括激光移除。
9. 一种检测方法，适于检测权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于该检测 方法包括以下步骤熔接该导电层与所述检测垫至少其中之一；将熔接至该导电层的该检测垫与位于其下方的该信号导线熔接；以及 将一检测工具与该导电层电性接触。
10. 根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于其中所述的熔接该导电层与所述检 测垫至少其中之一的方法包括激光熔接。
11. 根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于其中所述的将熔接至该导电层的该 检测垫与位于其下方的该信号导线熔接的方法包括激光熔接。
全文摘要
本发明是有关一种主动元件阵列基板及其检测方法。此主动元件阵列基板具有显示区与周边电路区，此主动元件阵列基板包括多个像素单元、多条信号导线、多个检测垫以及第一介电层。像素单元是以阵列的方式排列于显示区内，信号导线与检测垫则是配置于周边电路区内，且第一介电层是覆盖住检测垫。此主动元件阵列基板的检测方法则是先移除部分的第一介电层，以暴露出欲与检测工具电性接触的检测垫。也就是说，在进行检测之前，检测垫是与外界电性绝缘，因而能够避免静电荷由检测垫经信号导线对像素单元造成静电击伤，以提高主动元件阵列基板的电路稳定性。
文档编号H01L23/544GK101728397SQ20081017119
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月22日 优先权日2008年10月22日
发明者刘全丰, 张恒豪 申请人:元太科技工业股份有限公司