透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置与流程

技术特征：
1.透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，所述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是，在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%，硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下，氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下，碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下，构成上述透明导电体层的材料是含有氧化锌90质量%以上、进而含有镓的氧化物0.05～10质量%的锌系氧化物，并且，透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm下的可见光总光线透过率为90%以上，下式所示的薄层电阻值的变化率T1、T2分别为小于1.0、1.0以下，上述式中，R0表示透明导电性膜的初始薄层电阻值，R1表示在60℃的环境下放置3天后的薄层电阻值，R2表示在60℃90%RH环境下放置3天后的薄层电阻值。2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层是向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子而得到的层。3.根据权利要求2所述的透明导电性膜，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化而成的。4.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层是通过等离子体离子注入法向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子而得到的层。5.根据权利要求2～4中任一项所述的透明导电性膜，其特征在于，所述4官能有机硅烷化合物为四(C1～C10)烷氧基硅烷。6.权利要求2～5中任一项所述的透明导电性膜的制造方法，其具有下述工序：向表面形成有包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层的成型物的、所述包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合化合物的层，注入离子的工序。7.根据权利要求6所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化而成的。8.根据权利要求6所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，注入离子的工序为通过等离子体离子注入法注入离子的工序。9.电子装置用部件，其包含权利要求1～5中任一项所述的透明导电性膜。10.电子装置，其具备权利要求9所述的电子装置用部件。