技术总结
本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN接触层过孔对后继的铟柱成球工艺的不利影响；另外，侧边接触减小了金属接触面积，从而降低了金属漏电。
技术研发人员：殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201410812116
技术研发日：2014.12.22
技术公布日：2017.07.21