技术特征：
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供具有鳍的半导体衬底，鳍间形成有隔离；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅极两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；进行离子注入，在开口下的鳍内形成穿通停止层，同时，在源漏区内侧的鳍中形成反射掺杂层；在开口中形成替代栅。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入为垂直角度的离子注入。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，离子注入的剂量范围为1E12至1E14cm-2，能量范围为10至150KEV。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在鳍上分别形成第一类型伪栅器件和第二类型伪栅器件。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在开口中分别形成第一替代栅和第二替代栅。6.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；衬底上的鳍，鳍间形成有隔离；鳍上的器件结构；栅极之下的鳍中的穿通停止层，以及源漏区内侧的鳍中的反射掺杂层，反射掺杂层与穿通停止层具有相同的掺杂类型。7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述器件结构包括第一类型器件结构和第二类型器件结构。