技术总结
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供具有鳍的半导体衬底，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅器件两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；进行离子注入，在开口下的鳍内形成穿通停止层，同时，在源漏区内侧的鳍中形成反射掺杂层；在开口中形成替代栅。本发明减小了结漏和结电容，有利于改善器件的阈值电压，尤其在器件尺寸不断缩小时，可抑制阈值电压的卷曲，改善器件的短沟道效应。
技术研发人员：许淼;朱慧珑;赵利川;
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所;
文档号码：201410838568
技术研发日：2014.12.29
技术公布日：2016.07.27