一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种用于温度传感器的磁性多层膜，包括：设置在基片上的底部复合磁性层，所述底部复合磁性层具有直接钉扎结构、间接钉扎结构、人工铁磁结构或人工反铁磁结构；设置在所述底部复合磁性层上的势垒层；以及设置在所述势垒层上的顶部复合磁性层，所述顶部复合磁性层具有所述直接钉扎结构、所述间接钉扎结构、所述人工铁磁结构或所述人工反铁磁结构，其中，所述底部复合磁性层中的与所述势垒层最接近的铁磁层的磁矩反平行于所述顶部复合磁性层中的与所述势垒层最接近的铁磁层的磁矩。2.如权利要求1所述的磁性多层膜，其中：所述直接钉扎结构包括彼此接触的反铁磁层和铁磁层，所述间接钉扎结构包括第一间接钉扎结构或第二间接钉扎结构，所述第一间接钉扎结构包括反铁磁层、与所述反铁磁层接触的非磁金属层、以及与所述非磁金属层接触的铁磁层，所述第二间接钉扎结构包括反铁磁层、与所述反铁磁层接触的第一铁磁层、与所述第一铁磁层接触的非磁金属层、以及与所述非磁金属层接触的第二铁磁层，所述人工铁磁结构包括第一铁磁层、第二铁磁层、以及插置于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的非磁金属层，所述非磁金属层具有一厚度以诱导所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的铁磁耦合，且所述人工反铁磁结构包括第一铁磁层、第二铁磁层、以及插置于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的非磁金属层，所述非磁金属层具有一厚度以诱导所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的反铁磁耦合。3.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层都具有所述第二间接钉扎结构，所述底部复合磁性层的非磁金属层具有一厚度以诱导在其两侧的第一铁磁层和第二铁磁层形成铁磁耦合和反铁磁耦合中的一种，所述顶部复合磁性层的非磁金属层具有一厚度以诱导在其两侧的第一铁磁层和第二铁磁层形成铁磁耦合和反铁磁耦合中的另一种。4.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的一个具有人工铁磁结构，并且所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的另一个具有人工反铁磁结构。5.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的一个具有人工铁磁结构，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的另一个具有第二间接钉扎结构，所述第二间接钉扎结构的非磁金属层具有一厚度以诱导其两侧的第一铁磁层和第二铁磁层形成反铁磁耦合。6.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的一个具有人工反铁磁结构，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的另一个具有第二间接钉扎结构，所述第二间接钉扎结构的非磁金属层具有一厚度以诱导其两侧的第一铁磁层和第二铁磁层形成铁磁耦合。7.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的一个具有直接钉扎结构，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层中的另一个具有人工反铁磁结构或第二间接钉扎结构，所述第二间接钉扎结构的非磁金属层具有一厚度以诱导其两侧的第一铁磁层和第二铁磁层形成反铁磁耦合。8.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层具有直接钉扎结构或间接钉扎结构，所述顶部复合磁性层具有直接钉扎结构或间接钉扎结构，所述底部复合磁性层的反铁磁层的阻塞温度不同于所述顶部复合磁性层的反铁磁层的阻塞温度。9.如权利要求2所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层具有人工铁磁结构或人工反铁磁结构，所述顶部复合磁性层具有人工铁磁结构或人工反铁磁结构，所述底部复合磁性层的离所述势垒层较远的铁磁层的矫顽力不同于所述顶部复合磁性层的离所述势垒层较远的铁磁层的矫顽力。10.如权利要求9所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层和所述顶部复合磁性层二者都具有垂直磁矩。11.如权利要求9所述的磁性多层膜，其中，所述底部复合磁性层的离所述势垒层较远的铁磁层和所述顶部复合磁性层的离所述势垒层较远的铁磁层每个都包括具有垂直磁矩的磁性多层结构。12.一种制造用于温度传感器的磁性多层膜的方法，包括：在基片上沉积底部复合磁性层，所述底部复合磁性层具有直接钉扎结构、间接钉扎结构、人工铁磁结构或人工反铁磁结构；在所述底部复合磁性层上沉积势垒层；在所述势垒层上沉积顶部复合磁性层，所述顶部复合磁性层具有所述直接钉扎结构、所述间接钉扎结构、所述人工铁磁结构或所述人工反铁磁结构；以及对所得结构执行磁场真空退火，使得所述底部复合磁性层中的与所述势垒层最接近的铁磁层的磁矩反平行于所述顶部复合磁性层中的与所述势垒层最接近的铁磁层的磁矩。13.如...