技术总结
本发明提供了改善的半导体存储器元件及制造此类半导体存储器元件的方法。该半导体存储器元件中，栅极结构包括：一基板；一第一介电层，沿该基板配置；一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及一第二介电层，沿该第一导电层配置，其中该第一导电层包括多个p型掺杂物及多个n型掺杂物，且其中该些p型掺杂物形成一p型掺杂物区域，且该些n型掺杂物形成一n型掺杂物区域。此方法可包含于导体层中形成p-n结。此方法能够产生尺寸缩减的半导体存储器元件。
技术研发人员：古绍泓;李智雄
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510265966
技术研发日：2015.05.22
技术公布日：2017.01.04