1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
形成基底，所述基底内形成有伪栅以及位于伪栅之间的层间介质层；
去除所述伪栅，在伪栅原位置处形成凹槽；
形成凹槽后采用清洗气体对所述基底进行清洗，所述清洗气体包括NF3；
完成清洗后向所述凹槽内填充导电材料，形成栅极。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用清洗气体对所述基底进行清洗的步骤包括：所述NF3气体的流速为10～50sccm。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用清洗气体对所述基底进行清洗的步骤包括：在通入NF3的过程中还通入氩气或氦气。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述氩气或氦气的流速为50～300sccm。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用清洗气体对所述基底进行清洗的步骤包括：采用同步脉冲等离子体的方式进行清洗。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述同步脉冲等离子体的脉冲频率在5KHz到20KHz范围内。
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述同步脉冲等离子体的脉冲占空比在30％到75％范围内。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述伪栅的材料为非晶硅。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。
10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成基底的步骤包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成伪栅；
在所述伪栅之间的衬底上形成层间介质层；
在所述层间介质层表面覆盖保护层。
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在所述层间介质层表面覆盖保护层的步骤包括：所述保护层材料为光刻胶。
12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，去除所述伪栅的步骤包括：以所述保护层和层间介质层为掩模进行刻蚀，去除所述伪栅；去除所述保护层。
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，去除所述伪栅和所述保护层的步骤包括：采用干法刻蚀工艺去除所述伪栅和所述保护层。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述伪栅的步骤包括：刻蚀气体包括氦气、氧气、溴化氢气体。
15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，去除所述保护层的步骤包括：刻蚀气体包括氮气。
16.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用清洗气体对所述基底进行清洗的步骤之后，向所述凹槽内填充导电材料的步骤之前，所述制造方法还包括：采用灰化或湿法工艺对所述基底进行清洗。