技术总结
一种晶体管的制造方法，包括：形成基底，所述基底内形成有伪栅以及位于伪栅之间的层间介质层；去除所述伪栅，在伪栅原位置处形成凹槽；形成凹槽后采用清洗气体对所述基底进行清洗，所述清洗气体包括NF3；完成清洗后向所述凹槽内填充导电材料，形成栅极。本发明通过在去除伪栅和保护层后，采用包括有NF3的清洗气体对所述基底进行清洗。与现有技术中常用的CF4相比，NF3清洗气体中含F量较低，因此能够有效避免层间介质层在伪栅去除过程中被过度刻蚀，避免后续填充的导电材料在层间介质层表面的残余，提高半导体器件的良品率，降低器件制造成本。
技术研发人员：黄瑞轩;纪世良
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510366383
技术研发日：2015.06.26
技术公布日：2017.01.04