技术总结
一种高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其的制作方法。其中，所述高K金属栅极结构的制作方法包括：提供半导体衬底，在第一凹槽内的第一功函数金属层上形成第一阻挡层；在第二凹槽内的第二功函数金属层上形成第二阻挡层；对第一凹槽内的第一阻挡层进行第一硅离子注入；对第二凹槽内的第二阻挡层进行第二硅离子注入；在对第一阻挡层进行第一硅离子注入后，在第一凹槽内填充满第一钨金属栅极；在对第二阻挡层进行第二硅离子注入后，在第二凹槽内填充满第二钨金属栅极；在进行第一硅离子注入和第二硅离子注入后，所述制作方法还包括至少一个热处理步骤。所述制作方法提高晶体管的匹配性能，防止晶体管出现性能失配问题。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510547991
技术研发日：2015.08.31
技术公布日：2017.03.08