技术总结
本发明属于半导体功率器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体功率器件的制造方法。本发明是在形成控制栅之前，先进行倾斜的离子注入和高温退火工艺，再刻蚀形成控制栅凹槽的方法形成源区，可以革除传统的半导体功率器件的制造过程中的源区的光刻工艺。本发明的一种半导体功率器件的制造方法的工艺过程简单可靠、易于控制，不仅能够大大降低半导体功率器件的制造成本，还能够降低半导体功率器件的制造难度。
技术研发人员：毛振东;刘伟;刘磊
受保护的技术使用者：苏州东微半导体有限公司
文档号码：201510607079
技术研发日：2015.09.22
技术公布日：2017.05.10