技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基片，具有第一边、与所述第一边相反侧的第二边、与所述第一边及所述第二边交叉的第三边以及与所述第三边相反侧的第四边；第一基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第一边连接有1条；第二基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第二边连接有1条；多个引线，配置在所述基片的周边；半导体芯片，搭载在所述基片上，且具有形成有多个焊盘的主面；多个金属线，连接所述多个焊盘和所述多个引线；以及密封体，通过树脂将所述基片、所述第一基片悬吊引线及所述第二基片悬吊引线的一部分、所述多个引线各自的一部分、所述半导体芯片以及所述多个金属线密封，所述密封体包括与所述基片的所述第一边相对的第一侧面、与所述基片的所述第二边相对的第二侧面、与所述基片的所述第三边相对的第三侧面以及与所述基片的所述第四边相对的第四侧面，所述第一基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第一边，所述第一基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第一侧面露出，所述第二基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第二边，所述第二基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第二侧面露出，所述第一基片悬吊引线的另一端的第一露出部在侧视时，相比所述密封体的所述第三侧面，配置在所述密封体的所述第四侧面的附近，所述第二基片悬吊引线的另一端的第二露出部在侧视时，相比所述密封体的所述第四侧面，配置在所述密封体的所述第三侧面的附近。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封体内的所述第一基片悬吊引线的宽度在所述基片的所述第一边的延伸方向上比所述第一露出部的宽度大。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述密封体内的所述第二基片悬吊引线的宽度在所述基片的所述第二边的延伸方向上比所述第二露出部的宽度大。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一基片悬吊引线的另一端在所述第一边的延伸方向上的宽度在俯视时在从所述基片的所述第一边朝向所述密封体的所述第一侧面的方向上减小，所述第二基片悬吊引线的另一端在所述第二边的延伸方向上的宽度在俯视时在从所述基片的所述第二边朝向所述密封体的所述第二侧面的方向上减小。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一基片悬吊引线在俯视时在与所述第三侧面相对的长边形成有与所述第一侧面相接的第一切口部，所述第二基片悬吊引线在俯视时在与所述第四边相对的长边具有与所述第二侧面相接的第二切口部。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个引线包括第一引线和第二引线，所述第一引线与所述基片的第三边相对地配置，所述第二引线与所述基片的第四边相对地设置，所述半导体芯片的所述多个焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述第一引线相对地配置，所述第二焊盘与所述第二引线相对地配置，所述多个金属线包括第一金属线和第二金属线，所述第一引线和所述第一焊盘经由所述第一金属线连接，所述第二引线和所述第二焊盘经由所述第二金属线连接。7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，未配置与所述基片的所述第三边相对的引线，未配置与所述基片的所述第四边相对的引线。8.一种半导体装置，其特征在于，包括：基片，具有第一边、与所述第一边相反侧的第二边、与所述第一边及所述第二边交叉的第三边以及与所述第三边相反侧的第四边；第一基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第一边连接有1条；第二基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第二边连接有1条；多个引线，配置在所述基片的周边；半导体芯片，搭载在所述基片上，且具有形成有多个焊盘的主面；多个金属线，连接所述多个焊盘和所述多个引线；以及密封体，通过树脂将所述基片、所述第一基片悬吊引线及所述第二基片悬吊引线的一部分、所述多个引线各自的一部分、所述半导体芯片以及所述多个金属线密封，所述密封体包括与所述基片的所述第一边相对的第一侧面、与所述基片的所述第二边相对的第二侧面、与所述基片的所述第三边相对的第三侧面以及与所述基片的所述第四边相对的第四侧面，所述第一基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第一边，所述第一基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第一侧面露出，所述第二基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第二边，所述第二基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第二侧面露出，所述第一基片悬吊引线具有在俯视时与所述第三侧面相对的第五边以及与所述第四侧面相对的第六边，所述第五边在与所述第一侧面的边界具有第一切口部，所述第六边直线地延伸至所述第一侧面，所述第二基片悬吊引线具有在俯视时与所述第四侧面相对的第七边以及与所述第三侧面相对的第八边，所述第七边在与所述第二侧面的边界具有第二切口部，所述第八边直线地延伸至所述第二侧面。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个引线包括第一引线和第二引线，所述第一引线与所述基片的第三边相对地配置，所述第二引线与所述基片的第四边相对地设置，所述半导体芯片的所述多个焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述第一引线相对地配置，所述第二焊盘与所述第二引线相对地配置，所述多个金属线包括第一金属线和第二金属线，所述第一引线和所述第一焊盘经由所述第一金属线连接，所述第二引线和所述第二焊盘经由所述第二金属线连接。10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，未配置与所述基片的所述第三边相对的引线，未配置与所述基片的所述第四边相对的引线。11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：工序(a)，准备引线框架，该引线框架具有沿第一方向延伸的外框、沿与所述第一方向正交的第二方向延伸且连接到所述外框的基片悬吊引线支撑部、在所述第一方向上从所述基片悬吊引线支撑部沿相反方向延伸的第一基片悬吊引线及第二基片悬吊引线、连接到所述第一基片悬吊引线的第一基片、连接到所述第二基片悬吊引线的第二基片、配置在所述第一基片的周围的多个第一引线以及配置在所述第二基片的周围的多个第二引线；工序(b)，将在主面具有多个第一焊盘的第一半导体芯片搭载在所述第一基片上，将在主面具有多个第二焊盘的第二半导体芯片搭载在所述第二基片上；工序(c)，将所述多个第一焊盘与所述多个第一引线电连接，将所述多个第二焊盘与所述多个第二引线电连接；工序(d)，形成第一密封体和第二密封体，该第一密封体覆盖所述第一半导体芯片、所述第一基片以及所述第一基片悬吊引线，该第二密封体覆盖所述第二半导体芯片、所述第二基片以及所述第二基片悬吊引线；以及工序(e)，通过夹具而按压位于所述第一密封体和所述第二密封体间的所述基片悬吊引线支撑部，将所述第一基片悬吊引线以及所述第二基片悬吊引线从所述基片悬吊引线支撑部分离，所述第一密封体在俯视时的外形为大致四边形，且具有沿所述第二方向延伸的第一边，所述第二密封体在俯视时的外形为大致四边形，且具有沿所述第二方向延伸的第二边，所述第一基片悬吊引线具有第一窄部，所述第一密封体的所述第一边与所述第一窄部交叉，所述第二基片悬吊引线具有第二窄部，所述第二密封体的所述第二边与所述第二窄部交叉。12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一方向上的所述夹具的宽度比所述第一密封体和所述第二密封体的间隔窄。13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一密封体和所述第二密封体的间隔比所述第一方向上的所述夹具的宽度的2倍窄。14.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一窄部的宽度小于所述第一基片悬吊引线的比所述第一窄部更接近所述第一基片的位置处的所述第二方向上的宽度。15.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一基片悬吊引线具有沿所述第一方向延伸的第三边以及第四边，在所述第一窄部中，在所述第三边形成有第一切口。16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一窄部中，在所述第四边形成有第二切口。17.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)具有以下工序：工序(d-1)，准备模具，该模具具有柱塞、与所述柱塞连通的第一腔以及经由所述第一腔而与所述柱塞连通的第二腔；工序(d-2)，在所述第一腔内配置所述第一半导体芯片，在所述第二腔内配置所述第二半导体芯片；以及工序(d-3)，在所述柱塞中注入密封树脂，用所述密封树脂依次填满所述第一腔以及所述第二腔。18.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一基片悬吊引线在厚度方向上具有平坦的侧面。19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：工序(a)，准备引线框架，该引线框架具有沿第一方向延伸的外框、沿与所述第一方向正交的第二方向延伸且连接到所述外框的基片悬吊引线支撑部、在所述第一方向上从所述基片悬吊引线支撑部沿相反方向延伸的第一基片悬吊引线以及第二基片悬吊引线、连接到所述第一基片悬吊引线的第一基片、连接到所述第二基片悬吊引线的第二基片、配置在所述第一基片的周围的多个第一引线以及配置在所述第二基片的周围的多个第二引线；工序(b)，将在主面具有多个第一焊盘的第一半导体芯片搭载在所述第一基片上，将在主面具有多个第二焊盘的第二半导体芯片搭载在所述第二基片上；工序(c)，将所述多个第一焊盘与所述多个第一引线电连接，将所述多个第二焊盘与所述多个第二引线电连接；工序(d)，形成第一密封体和第二密封体，该第一密封体覆盖所述第一半导体芯片、所述第一基片以及所述第一基片悬吊引线，该第二密封体覆盖所述第二半导体芯片、所述第二基片以及所述第二基片悬吊引线；以及工序(e)，通过夹具而按压位于所述第一密封体和所述第二密封体间的所述基片悬吊引线支撑部，将所述第一基片悬吊引线以及所述第二基片悬吊引线从所述基片悬吊引线支撑部分离，所述第一密封体在俯视时的外形为大致四边形，且具有沿所述第二方向延伸的第一边，所述第二密封体在俯视时的外形为大致四边形，且具有沿所述第二方向延伸的第二边，所述第一基片悬吊引线具有第一薄部，所述第一密封体的所述第一边与所述第一薄部交叉，所述第二基片悬吊引线具有第二薄部，所述第二密封体的所述第二边与所述第二薄部交叉。20.如权利要求19述的半导体装置的制造方法，其中，第一薄部的厚度小于所述第一基片悬吊引线的比所述第一薄部更接近所述第一基片的位置处的厚度。21.如权利要求20述的半导体装置的制造方法，其中，在第一薄部中，所述第一方向上的所述第一基片悬吊引线的剖面具有V字型的槽。22.如权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一薄部中，所述第一方向上的所述第一基片悬吊引线的剖面具有半圆形的槽。23.如权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一基片悬吊引线在俯视时具有沿所述第一方向延伸的第三边以及第四边，在所述第一薄部中，在所述第三边形成有第一切口。24.如权利要求23所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一薄部中，在所述第四边形成有第二切口。25.如权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)具有以下工序：工序(d-1)，准备模具，该模具具有柱塞、与所述柱塞连通的第一腔以及经由所述第一腔而与所述柱塞连通的第二腔；工序(d-2)，在所述第一腔内配置所述第一半导体芯片，在所述第二腔内配置所述第二半导体芯片；以及工序(d-3)，在所述柱塞中注入密封树脂，用所述密封树脂依次填满所述第一腔以及所述第二腔。