1.一种半导体功率器件结构，其特征在于，所述半导体功率器件结构包括：
源极、源金属、栅金属、漏极、漏极金属、源极体区、多晶硅、金属场板、N型重掺杂区、氧Trench层、N型漂移区、埋氧层、P型衬底；
所述P型衬底在所述半导体功率器件结构的底层，所述埋氧层在所述P型衬底之上，所述N型漂移区在所述埋氧层之上，所述N型重掺杂区在所述N型漂移区之上，所述氧Trench层在所述N型重掺杂区之上，所述金属场板为多层长度不等的纵向场板，在所述N型漂移区靠近所述氧Trench层的表面注入一层重掺杂n型层。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述多层长度不等的纵向场板为三层长度不等的纵向场板。