技术特征：
技术总结
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介质层的伪栅电极、以及覆盖伪栅介质层和伪栅电极的侧壁和所述鳍部的层间介质层；去除N型边缘区的伪栅电极，形成第一开口；对第一开口底部的伪栅介质层进行氮等离子体处理；氮等离子体处理后，去除P型边缘区的伪栅电极，形成第二开口；形成第二开口后，进行氟气氛退火处理；氟气氛退火处理后，在所述第一开口和第二开口中形成金属栅极结构。所述方法使得提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.03.08
技术公布日：2017.09.15