一种集成电路封装结构的制造方法与流程

本发明涉及集成电路封装领域，具体涉及一种集成电路封装结构的制造方法。

背景技术：

在集成电路封装中，由于本身电子器件的电磁辐射或外界的电磁辐射，往往会导致集成电路的信号不稳定，电路失效，现有技术中，是将容易受电磁干扰或发出电磁波的半导体元件封装在特定的集成电路中，在将该封装体予以电子屏蔽，其屏蔽的构件往往是一个金属罩体，这样的封装体体积较大且封装极为不灵便。

技术实现要素：

基于解决上述封装中的问题，本发明提供了一种集成电路封装结构的制造方法，其包括以下步骤：

（1）提供一大面积硬质的临时基板；

（2）将电磁元件固定于所述临时基板上，该电磁元件是容易受电磁干扰或发出电磁波的半导体元件，其固定方式可通过固定胶固定；

（3）在所述临时基板上设置第一封装材料，并完全覆盖电磁元件；

（4）固化所述封装材料后，减薄所述封装材料至合适的厚度但并不漏出所述电磁元件；

（5）在电磁芯片对应于多个电极的位置形成第一通孔，在环绕电磁芯片的周圈形成第二通孔，所述第一通孔的截面积和所述电极的面积相同；

（6）在封装材料上形成导电材料，并填充满所述第一和第二通孔，然后仅刻蚀封装材料上的第一导电材料，形成电连接第一和第二通孔的线路层。

（7）去除临时基板1，通过激光沿着第二通孔的中心进行单体化所述封装体，并且切割后的所述第二通孔5的宽度大于第一通孔的宽度。

（8）得到封装单体，其中，第二通孔包括分别与多个所述电极相连的、互相电隔离的多个部分；

（9）提供一个具有凹槽的散热基板，在凹槽底部涂覆一层导热绝缘胶，利用该导热绝缘胶将封装单体固定在凹槽底部，并利用第二封装材料填充并密封所述封装单体；

（10）在偏离所述电磁芯片中心位置处钻孔形成暴露所述线路层的第三通孔并填充导电物质以形成外连端子，并通过外连端子与其他电子元件相耦合，形成集成电路封装结构；

其特征在于：切割后的第二通孔的宽度为大于或等于1mm。

本发明还提供了另一种集成电路封装结构的制造方法，其包括以下步骤：

（1）提供一大面积硬质的临时基板；

（2）将电磁元件固定于所述临时基板上，该电磁元件是容易受电磁干扰或发出电磁波的半导体元件，其固定方式通过固定胶固定；

（3）在所述临时基板上设置第一封装材料，并完全覆盖电磁元件；

（4）固化所述封装材料后，减薄所述封装材料至合适的厚度但并不漏出所述电磁元件；

（5）在电磁芯片对应于多个电极的位置形成第一通孔，在环绕电磁芯片的周圈形成第二通孔，所述第一通孔的截面积和所述电极的面积相同；

（6）在封装材料上形成导电材料，并填充满所述第一和第二通孔，然后仅刻蚀封装材料上的第一导电材料，形成电连接第一和第二通孔的线路层；

（7）去除临时基板1，通过激光沿着第二通孔的中心进行单体化所述封装体，并且切割后的所述第二通孔5的宽度大于第一通孔的宽度。

（8）得到封装单体，其中，第二通孔包括分别与多个所述电极相连的、互相电隔离的多个部分；

（9）提供一个具有凹槽的散热基板，在凹槽底部涂覆一层导热绝缘胶，利用该导热绝缘胶将封装单体固定在凹槽底部，并利用第二封装材料填充并密封所述封装单体。

（10）在偏离所述电磁芯片中心位置处钻孔形成暴露所述线路层的第三通孔并填充第二导电材料以形成外连端子，并通过外连端子与其他电子元件相耦合，形成集成电路封装结构；

其特征在于：所述第二通孔填充所述第一导电材料的侧面部分的面积占所述封装单体的侧面积的50%-90%。

其中，固定胶包括压敏固化胶、热固化胶、光固化胶、硅脂、环氧树脂等。

其中，所述临时基板是陶瓷基板、硅基板或塑料基板。

其中，所述其他电子元件包括控制器、MOS晶体管、电阻等。

本发明的优点如下：

本发明通过控制外围电路层（第二通孔）的面积和厚度，形成电子屏蔽较好的封装体，在后续集成电路封装中无需再增加电磁屏蔽罩等构件，减小了封装体积，增强了封装的灵活性。

附图说明

图1-8、10-11为本发明的集成电路封装结构的制造方法的过程示意图；

图9为图8封装单体的俯视图。

具体实施方式

参见图1-11，本发明首先提供了一种集成电路的封装方法，具体步骤将在如下进行描述，描述中所出现的上下、左右、侧面等位置名词均相对于示意图中的位置关系。

参见图1，提供一临时基板1，该基板为大面积硬质基板，例如陶瓷基板、硅基板、塑料基板等。

参见图2，将电磁元件2固定于临时基板1上，该电磁元件是容易受电磁干扰或发出电磁波的半导体元件，例如RF元件、光电探测器、传感器、光电接收器等，其固定方式可通过固定胶固定，该固定胶包括压敏固化胶、热固化胶、光固化胶、硅脂、环氧树脂等。

参见图3，在临时基板1上设置封装材料3，并完全覆盖电磁元件2，该封装材料可以是聚酰亚胺、热固化树脂或光固化树脂等密封材料。

参见图4，固化所述封装材料3后，减薄所述封装材料3至合适的厚度但并不漏出所述电磁元件2.

参见图5，在电磁芯片2对应于电极的位置形成第一通孔4，在环绕电磁芯片2的周圈形成第二通孔5，所述第一通孔4的截面积和所述电极的面积相同，所述第二通孔5的宽度大于第一通孔4的宽度，尺寸大于2mm宽，这样能够更好阻挡电磁波的干扰或电磁波干扰其他组件。

参见图6，在封装材料3上形成导电材料6，并填充满所述第一和5第二通孔4、5，然后仅刻蚀封装材料3上的导电材料6，形成电连接第一和第二通孔的线路层，所述导电材料是可以防止电磁波穿透的材料，例如金属等。

参见图7，去除临时基板1，通过激光7沿着第二通孔5的中心进行单体化所述封装体，所述激光还可以替换为机械切割，并且切割后的所述第二通孔5的宽度仍大于第一通孔4的宽度，切割后的第二通孔5的宽度为大于或等于1mm。

参见图8，得到封装单体100，其俯视图如图9所示，四个电极分别对应四个第一通孔4，四周的四个第二通孔5环绕所述电磁元件2的侧面，并且，第二通孔5包括分别与所述四个电极相连的、互相电隔离的四个部分，当然，其电磁元件的不同，电极个数、第一通孔4和第二通孔5的个数也不同，但是无论怎样，所述第二通孔填充导电材料6的侧面部分的面积占所述封装单体100侧面积的50%-90%，只有这样才能更好的起到电磁屏蔽的作用。

参见图10，提供一个具有凹槽的散热基板8，该散热基板8可以是陶瓷基板、高分子散热基板等，在凹槽底部涂覆一层导热绝缘胶9，利用该导热绝缘胶9将封装单体100固定在凹槽底部，并利用封装材料10填充并密封所述封装单体100。

参考图11，在偏离芯片中心位置处钻孔形成暴露所述线路层的通孔并填充导电物质以形成外连端子11，并通过外连端子与其他电子元件相耦合，所述其他电子元件包括控制器、MOS晶体管、电阻等。

本发明通过控制外围电路层（第二通孔）的面积和厚度，形成电子屏蔽较好的封装体，在后续集成电路封装中无需再增加电磁屏蔽罩等构件，减小了封装体积，增强了封装的灵活性。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。