1.一种正装覆晶LED芯片封装体，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，所述外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，所述N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，所述P电极及所述N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8-1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。
2.如权利要求1所述的正装覆晶LED芯片封装体，其特征在于：所述N电极及P电极的材料为金属：金、银、镍、铝中的任意一种。
3.一种如权利要求1所述的正装覆晶LED芯片封装体的应用，其特征在于：该正装覆晶LED芯片封装体应用于点状光源、条状光源或面状光源中的任意一种。
4.一种如权利要求1所述的正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，包括以下步骤：
A：于透明基板对应LED芯片大小的线路宽度焊盘上，进行银胶或锡膏的涂覆，银胶或锡膏的涂覆面积为外延芯片光罩面积的1/8-1/3；
B：利用固晶机将外延芯片覆晶在相应对位涂有银胶或锡膏的线路上，该外延芯片的P电极及N电极的电极面积为该外延芯片光罩面积的1/8-1/3；
C：进行预成型支架的贴合；
D：进行回焊或烘烤；
E：进行荧光粉的涂布；
F：进行烘烤；
G：将烘烤完成的基板进行裁切。
5.如权利要求4所述的正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，其特征在于：步骤B中，所述银胶或锡膏是通过印刷或者涂布的方式涂覆在基板上。
6.如权利要求4所述的正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，其特征在于：步骤E 、F中，所述荧光粉的涂布是利用贴膜压合、热转印、点胶、膜顶或印刷中的任意一种方式。
7.如权利要求4所述的正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，其特征在于：步骤G中，所述烘烤是利用红外线或者智能控烤箱进行烘烤。
8.如权利要求4所述的正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，其特征在于：步骤H中，所述切割是利用激光或者钻石刀切割机进行切割。