1.一种LED高导热金属基板，其特征在于，包括从下往上依次设置的金属基板层、绝缘层、铜层和LED灯珠，还包括电镀铜层，所述绝缘层和铜层具有上下贯穿的通孔，所述金属基板层包括基板部和凸起部，所述基板部位于所述绝缘层下方，呈平板形，所述凸起部从所述基板部向上延伸凸起并伸入所述绝缘层和所述铜层的通孔中，LED灯珠的底部与所述凸起部接触，所述铜层上设有导线，所述电镀铜层位于LED灯珠的电极引脚和铜层的导线之上，且连接LED灯珠的电极引脚和所述铜层的导线。
2.根据权利要求1所述的LED高导热金属基板，其特征在于，所述金属基板层的基板部和凸起部一体成型。
3.根据权利要求1所述的LED高导热金属基板，其特征在于，所述金属基板层是金箔、银箔、黄铜箔、铜箔、镍箔、铝箔或不锈钢箔。
4.一种LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：
(1)制备具有基板部和凸起部的金属基板，作为金属基板层，所述基板部呈平板形，所述凸起部从所述基板部向上延伸凸起；
(2)在金属基板层具有凸起部的一面，于基板部上单面涂覆绝缘膜形成绝缘层；
(3)在金属基板层的基板部带有绝缘膜的一侧上覆铜形成铜层；
(4)在铜层上腐蚀出导线；
(5)在其表面通过电镀铜，使LED灯珠的电极引脚与铜层的导线固定。
5.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于所述金属基板层是金箔、银箔、黄铜箔、铜箔、镍箔、铝箔或不锈钢箔。
6.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(2)中所述绝缘膜是氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜、聚酰亚胺膜、聚乙烯膜、聚偏二氟乙烯膜或聚四氟乙烯膜。
7.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(3)中所述覆铜方法是大面积覆铜或网格覆铜。
8.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(4)中所述腐蚀出导线的方法是机械法或电化学法。
9.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(5)中所述电镀铜的方法是酸性镀铜、脉冲镀铜或旋转镀铜。