技术总结
一种半导体测试结构及其形成方法，其中半导体测试结构包括：半导体衬底，半导体衬底包括一个或多个测试区；鳍部，位于测试区的半导体衬底上；当所述测试区为多个时，相邻测试区的鳍部电学隔离；测试单元，分别位于测试区的半导体衬底上；所述测试单元包括：第一栅极结构，横跨所述鳍部、覆盖鳍部的部分侧壁表面和部分顶部表面；外延层，位于所述第一栅极结构两侧的鳍部顶部表面和侧壁表面；导电插塞，横跨所述鳍部、且位于所述第一栅极结构两侧外延层的顶部表面和侧壁表面。所述半导体测试结构能够精确表征待测试的鳍式场效应晶体管中器件导电插塞和源漏掺杂层的接触电阻。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2018.06.12