半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构上具有掩膜层；

在所述栅极结构之间形成介质层；

在所述介质层和所述掩膜层上保形覆盖至少一层刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成层间介质层；

以所述刻蚀停止层为停止层刻蚀位于栅极结构之间的所述层间介质层，形成第一开口，去除所述第一开口底部的所述刻蚀停止层，露出所述掩膜层和所述介质层；

去除第一开口底部的介质层形成露出栅极结构之间衬底的第二开口；

在所述第二开口中形成插塞。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述介质层和所述掩膜层上保形覆盖至少一层刻蚀停止层的步骤包括：

在所述介质层和所述掩膜层上保形覆盖第一刻蚀停止层；

在所述第一刻蚀停止层上保形覆盖第二刻蚀停止层；

形成层间介质层的步骤中，所述层间介质层位于所述第二刻蚀停止层上；

形成所述第一开口的步骤中，以所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层为停止层进行刻蚀。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一刻蚀停止层的步骤中，所述第一刻蚀停止层的材料与所述掩膜层材料不同。

4.如权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的步骤中，所述掩膜层的材料为氮化硅；

形成第一刻蚀停止层的步骤中，所述第一刻蚀停止层的材料为氧化硅或多晶硅。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一刻蚀停止层的步骤中，所述第一刻蚀停止层的厚度在到范围内。

6.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二刻蚀停止层的步骤中，所述第二刻蚀停止层的材料与所述第一刻蚀停止层的材料不同。

7.如权利要求2或6所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一刻蚀停止层的步骤中，所述第一刻蚀停止层的材料为氧化硅；

形成所述第二刻蚀停止层的步骤中，所述第二刻蚀停止层的材料为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氮化硼、氮化铝中的一种或多种。

8.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二刻蚀停止层的步骤中，所述第二刻蚀停止层的厚度在到范围内。

9.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一刻蚀停止层的步骤和形成所述第二刻蚀停止层的步骤中的一个或两个步骤包括：通过原子层沉积或化学气相沉积的方式进行形成。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的步骤中，

沿栅极结构侧壁指向栅极结构中心的方向上，掩膜层的厚度逐渐减小；或者沿栅极结构侧壁指向栅极结构中心的方向上，掩膜层的厚度逐渐增大。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成介质层的步骤中，所述介质层覆盖所述掩膜层；

形成介质层之后，形成所述刻蚀停止层之前，所述形成方法还包括：对所述介质层进行平坦化处理，以露出所述掩膜层。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

多个栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构上具有掩膜层；

至少一层刻蚀停止层，保形覆盖于部分所述掩膜层上；

层间介质层，位于所述刻蚀停止层上；

插塞，位于相邻所述栅极结构之间且贯穿所述层间介质层和所述刻蚀停止层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层包括：

第一刻蚀停止层，保形覆盖于部分所述掩膜层上；

第二刻蚀停止层，保形覆盖于所述第一刻蚀停止层上。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的材料与所述掩膜层材料不同。

15.如权利要求13或14所述的半导体结构，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅；所述第一刻蚀停止层的材料为氧化硅或多晶硅。

16.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的厚度在到范围内。

17.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第二刻蚀停止层的材料与所述第一刻蚀停止层的材料不同。

18.如权利要求13或17所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的材料为氧化硅；所述第二刻蚀停止层的材料为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氮化硼、氮化铝中的一种或多种。

19.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第二刻蚀停止层的厚度在到范围内。

20.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，沿栅极结构侧壁指向栅极结构中心的方向上，掩膜层的厚度逐渐减小；或者沿栅极结构侧壁指向栅极结构中心的方向上，掩膜层的厚度逐渐增大。