技术特征：
技术总结
实施例涉及发光器件。根据本实施例的发光器件包括：第一导电半导体层；有源层，该有源层被布置在第一导电半导体层上并且具有多个势垒层和多个阱层；多个超晶格层，所述多个超晶格层被布置在第一导电半导体层之下；以及第二导电半导体层，该第二导电半导体层被布置在有源层上，其中多个超晶格层包括至少三个超晶格层，其中至少三个超晶格层中的每个具有第一层和第二层的多个配对，以及至少三个超晶格层之中超晶格层越接近有源层，超晶格层的第一层中的铝组分逐渐减小，并且至少三个超晶格层中的每个在第二层中具有相同的铝组分。
技术研发人员：洪埩熀;金明姬
受保护的技术使用者：LG伊诺特有限公司
技术研发日：2016.02.24
技术公布日：2017.10.20