半导体元件及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中所述的形成半导体元件的方法包含提供一半导体基板，外延成长一反应层于该半导体基板上，以及外延成长一缓冲层于该反应层上，其中该缓冲层与该半导体基板的晶格不匹配，且该缓冲层具有一差排密度小于1×109cm‑2。

技术研发人员：陈孟扬;李荣仁;李世昌
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
技术研发日：2017.03.15
技术公布日：2017.10.03