1.一种金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于具体工艺步骤为：
(1)配制前驱体溶液：首先将金属盐加入N，N-二甲基甲酰胺中，配制浓度为0.01-0.5摩尔/升的前驱体溶液，在20-100℃下磁力搅拌1-24小时，得到纯净透明的粘性溶液；其中，金属盐为乙酰丙酮铝、氯化铟、醋酸锌和乙酰丙酮锆中任意一种或几种；
(2)加入聚乳酸：再将聚乳酸加入步骤(1)制得的粘性溶液中，聚乳酸与N，N-二甲基甲酰胺的质量比为1：3-4，在20-100℃下持续磁力搅拌1-24小时,得到混合溶液；
(3)静电纺丝法制备纳米材料：接着将步骤(2)制得的混合溶液加入注射泵内，并以0.4-0.6毫升/小时的速度推进注射泵，注射泵的针头处连接15千伏直流高压电源，针头距离接收端5-20cm，纺丝时间为1-5分钟，在电场力、库仑力、表面张力等作用下，注射泵内溶液从针头喷出并剧烈抖动且直径迅速下降，最后被接收端接受，制得一维金属盐/聚合物复合纳米材料；
(4)应用纳米尺寸热物理效应：将步骤(3)制得的一维金属盐/聚合物复合纳米材料置于100-200℃的烤胶台上烘烤8-12分钟，在纳米尺寸热物理效应的作用下，一维金属盐/聚合物复合纳米材料融化为均匀连续的薄膜；然后放置在高压汞灯下，汞灯波长范围为100-400纳米，功率为1-2千瓦，距离汞灯为5-20厘米，紫外光处理时间为20-40分钟，一维金属盐/聚合物复合纳米材料对350纳米以下的光具有较长吸收性；温度300-500℃，处理1-3小时，得到厚度为15-60纳米的金属氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于采用该方法制备氧化铝高k介电薄膜的具体工艺步骤为：
(a)配制前驱体溶液：首先将金属盐加入N，N-二甲基甲酰胺中，配制浓度为0.01-0.5摩尔/升的前驱体溶液，在20-100℃下磁力搅拌1-24小时，得到纯净透明的粘性溶液；其中，金属盐为乙酰丙酮铝；
(b)加入聚乳酸：再将聚乳酸加入步骤(a)制得的粘性溶液中，聚乳酸与N，N-二甲基甲酰胺的质量比为1：4，在20-100℃下持续磁力搅拌1-24小时,得到混合溶液；
(c)清洗衬底：然后选用单面抛光P型低阻硅作为衬底和栅电极，其中，低阻硅衬底的电阻率为0.0015Ω·cm，依次用氢氟酸、丙酮和无水乙醇超声波清洗低阻硅衬底各10分钟后，用去离子水冲洗3-5次，再用纯度为99.99％的氮气吹干；
(d)静电纺丝法制备纳米材料：接着将步骤(c)处理完毕的P型低阻硅衬底附在接收端，接收端距离针头5-20cm，针头处连接15千伏直流高压电源，并将步骤(b)制得的混合溶液加入注射泵内，并以0.4-0.6毫升/小时的速度推进注射泵，纺丝时间为1-5分钟，在电场力、库仑力、表面张力等作用下，注射泵内溶液从针头喷出并剧烈抖动且直径迅速下降，最后被接收端接受，制得一维氧化铝/聚合物复合纳米材料；
(e)应用纳米尺寸热物理效应：将步骤(d)制得的一维氧化铝/聚合物复合纳米材料置于100℃的烤胶台上烘烤8-12分钟，在纳米尺寸热物理效应的作用下，一维氧化铝/聚合物复合纳米材料融化为均匀连续的薄膜；然后放置在高压汞灯下，汞灯波长范围为100-400纳米，功率为1-2千瓦，距离汞灯为5-20厘米，紫外光处理时间为20-40分钟，一维氧化铝/聚合物复合纳米材料对350纳米以下的光具有较长吸收性；温度300-500℃，处理1-3小时，制得厚度为40-60纳米的氧化铝高k介电薄膜。
3.如权利要求2所述的金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于采用该方法制备的氧化铝高k介电薄膜能够用作薄膜晶体管的介电层。
4.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于采用该方法制备氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧半导体薄膜的具体工艺步骤为：
(1)配制前驱体溶液：首先将金属盐加入N，N-二甲基甲酰胺中，配制浓度为0.01-0.5摩尔/升的前驱体溶液，在磁力搅拌器中旋转1-24小时，得到纯净透明的粘性溶液；其中，金属盐为氯化铟、醋酸锌和乙酰丙酮锆中任意一种或几种；
(2)加入聚乳酸：再将聚乳酸加入步骤(1)配制的粘性溶液中，聚乳酸与N，N-二甲基甲酰胺质量比为1：3；在20-100℃下磁力搅拌器中旋转1-24小时，得到混合溶液；
(3)静电纺丝法制备纳米材料：接着将热氧化的二氧化硅或氧化铝高k介电薄膜附在接收端，接收端距离针头5-20cm，针头处连接15千伏直流高压电源；并将步骤(2)制得的混合溶液加入注射泵内，并以0.4-0.6毫升/小时的速度推进注射泵，纺丝时间为1-5分钟，在电场力、库仑力、表面张力等作用下，注射泵内溶液从针头喷出并剧烈抖动且直径显著下降，最后被接收端接受，制得一维氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧复合纳米材料；
(4)应用纳米尺寸热物理效应：最后将步骤(3)制得的复合纳米材料置于100-200℃的烤胶台上烘烤8-12分钟，在纳米尺寸热物理效应的作用下，复合纳米材料融化为均匀连续的薄膜；然后放置在高压汞灯下，汞灯波长范围为100-400纳米，功率为1-2千瓦，距离汞灯为5-20厘米，紫外光处理时间为20-40分钟；温度300-400℃，处理1-3小时，制得厚度为15-25纳米的氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧半导体薄膜。
5.如权利要求4所述的金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于采用该方法制得的氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧半导体薄膜能够用作薄膜晶体管的沟道层。
6.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于采用该方法制备薄膜晶体管的具体步骤为：
(1)采用该方法制备氧化铝高k介电薄膜，作为薄膜晶体管的介电层；
(2)采用该方法制备氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧半导体薄膜，作为薄膜晶体管的沟道层；
(3)利用离子束沉积源漏电极；
步骤1、预溅射靶材：将氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧半导体薄膜放入离子束室，达到高真空压力为3×10-4Pa后，通入流量为4SCCM的氩气，灯丝电流加至4A对灯丝预热5分钟，待预热完成后对Au、Ti或Al靶材预溅射8-12分钟，此时实验参流10mA、放电电压70V、工作气压4×10-2Pa；
步骤2、溅射Au、Ti或Al金属薄膜：将氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧半导体薄膜移至相应靶位，在保证预溅射实验条件的前提下沉积Au金属薄膜，时间为50-70分钟，制得源漏电极，电极厚度为50-200nm；制得基于氧化铝高k介电层的氧化铟、铟锌氧或铟锆锌氧沟道层的薄膜晶体管，完成薄膜晶体管的制备。