技术特征：
技术总结
本发明属于薄膜晶体管技术领域，尤其公开了一种碳纳米管薄膜晶体管，该碳纳米管薄膜晶体管中的有源层的材料为复合碳纳米管；其中，复合碳纳米管包括碳纳米管以及填充在碳纳米管内部的金属氧化物。本发明通过以金属氧化物填充碳纳米管的复合碳纳米管作为有源层的材料，从而充分利用金属氧化物和CNT的半导体性能，可以有效地提高碳纳米管薄膜晶体管的迁移率，从而将该碳纳米管薄膜晶体管应用于OLED或QLED等显示器件时，能够更好地满足驱动需求。本发明还公开了上述碳纳米管薄膜晶体管的制作方法，该制作方法仅通过改变有源层的材料即可获得高迁移率的碳纳米管薄膜晶体管，而无需进行制程改变，适用于多种结构，可与现有的薄膜晶体管的生产工艺相兼容。
技术研发人员：谢华飞
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2017.10.13
技术公布日：2018.02.16