基底加工设备及加工基底的方法与流程

技术特征：

1.一种基底加工设备，包括：

腔室；

台架，其设置在所述腔室中；

喷洒头，在所述喷洒头中形成有多个狭缝，并且所述喷洒头与所述台架相对；

第一气体供给部，其经由所述多个狭缝将第一气体供给至所述台架与所述喷洒头之间的空间；以及

第二气体供给部，其将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，

其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。

2.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第二气体为氧气、氮气、正硅酸乙酯或硅烷。

3.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一气体为由氧气和正硅酸乙酯组成的混合气体，而所述第二气体为氧气。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的基底加工设备，进一步包括排气管道，所述排气管道具有依照在平面中观察到的包围所述台架的形状，并且经由所述排气管道所述第一气体和所述第二气体被排出所述腔室。

5.一种加工基底的方法，包括如下的在腔室中对台架上的基底执行等离子加工的加工过程：通过经由喷洒头中的多个狭缝将第一气体供给至所述喷洒头与所述台架之间的空间，通过同时将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，并且通过在供给所述第一气体和所述第二气体的同时将射频功率施加至所述喷洒头，

其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二气体为氧气、氮气、正硅酸乙酯或硅烷。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一气体为由氧气和正硅酸乙酯组成的混合气体，而所述第二气体为氧气。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其中，所述第一气体和所述第二气体经由排气管道被排出所述腔室，所述排气管道具有依照在平面中观察到的包围所述台架的形状，并且

其中，所述第一气体和所述第二气体的比例为10:1至50:1。

9.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其中，相对于加工过程中的时间改变所述第二气体的流速。

10.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其中，相对于加工过程中的时间改变所述第一气体的流速。

11.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其中，薄膜成形以加工过程中以如下的方式执行：薄膜厚度在基底的中央部分比在基底的包围所述中央部的环形部分大，或者以如下的方式执行：薄膜厚度在所述中央部分比在所述环形部分小。