1.一种集成电流传感器的SiC晶体管器件，其特征在于，所述SiC晶体管器件的源极一侧、有源区内按设定比例均匀选取若干个原胞作为源传感器，其他的原胞作为器件源极的原胞，即主原胞；同时采用源极的多层布线方式使源极压块金属与所述源传感器的压块金属处于一个平面上；所述源传感器的栅极与SiC晶体管器件的栅极都是相连的，共用栅极压块金属，并且共用漏极。
2.根据权利要求1所述的集成电流传感器的SiC晶体管器件，其特征在于，所述源传感器独立的引出源电极，源传感器电极与SiC晶体管器件的源极之间由介质进行隔离。
3.根据权利要求1所述的集成电流传感器的SiC晶体管器件，其特征在于，每个源传感器原胞均被多个所述主原胞所包围。