1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
一衬底，所述衬底中形成有至少一个接触区；
一第一介质层，形成在所述衬底上，且所述第一介质层中开设有至少一个贯穿所述第一介质层的凹槽，所述衬底在所述凹槽的高度投影区中包含所述接触区，并且在平行于所述衬底表面的方向上，所述凹槽的尺寸大于等于所述接触区的尺寸，每一所述接触区对应一个所述凹槽；
一第二介质层，形成在所述凹槽的侧壁上，由所述第二介质层界定出一接触窗，通过所述接触窗暴露出所述接触区；以及，
一导电层，填充在所述接触窗中并与所述接触区电性连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上形成有多个所述接触区，所述第一介质层中形成有多个所述凹槽，所述第一介质层还具有至少一连通开口，形成于相邻的所述凹槽之间，以使相邻的所述凹槽相互连通，所述第二介质层填充所述连通开口以构成一瓶颈封闭，以使相邻的所述接触窗相互隔离。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述连通开口的侧壁的方向上，所述连通开口的宽度尺寸小于等于2倍的所述第二介质层的沉积厚度，所述第二介质层的沉积厚度为执行沉积工艺所形成的所述第二介质层在平行于所述衬底表面的方向上预定形成的厚度尺寸。
4.如权利要求1～3其中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述接触窗的最小宽度尺寸大于等于15nm。
5.一种存储器，其特征在于，包括：
一衬底，所述衬底中形成有多个接触区；
一第一介质层，形成在所述衬底上，且所述第一介质层中开设有多个贯穿所述第一介质层的凹槽，所述衬底在所述凹槽的高度投影区中包含所述接触区，并且在平行于所述衬底表面的方向上，所述凹槽的尺寸大于等于所述接触区的尺寸，每一所述接触区对应一个所述凹槽；以及，
一第二介质层，形成在所述凹槽的侧壁上，由所述第二介质层界定出一接触窗，通过所述接触窗暴露出所述接触区；以及，
一导电层，填充在所述接触窗中并与所述接触区电性连接；
其中，所述接触区构成所述存储器的位线接触区，所述导电层构成所述存储器的位线接触，所述位线接触区通过所述位线接触电性连接至所述存储器的位线。
6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述接触窗的最小宽度尺寸大于等于15nm。