1.一种主动元件基板，其特征在于，包括：
第一主动元件，位于一基板上，且该第一主动元件包括：
第一栅极；
结晶金属氧化物层，位于该第一栅极上，且与该第一栅极之间夹有第一绝缘层，其中以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从该结晶金属氧化物的上表面至该结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案；以及
第一源极及第一漏极，与该结晶金属氧化物层电连接；
第二主动元件，位于该基板上，且该第二主动元件包括：
第二栅极；
硅半导体层，与该第二栅极重叠；以及
第二源极及第二漏极，与该硅半导体层电连接。
2.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一栅极的材料包括钛或钛与铝的组合。
3.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：
第二绝缘层，位于该第二栅极与该硅半导体层之间，且该第二绝缘层与该第二栅极之间具有部分该第一绝缘层。
4.如权利要求3所述的主动元件基板，其中该第一绝缘层以及该第二绝缘层的材料包括氧化硅。
5.如权利要求3所述的主动元件基板，其中该第一绝缘层的厚度为50纳米至300纳米，且该第二绝缘层的厚度为50纳米至300纳米。
6.如权利要求3所述的主动元件基板，还包括：
源极接触结构，电连接该第二源极；
漏极接触结构，电连接该第二漏极；
遮蔽金属层，其中该硅半导体层位于该遮蔽金属层与该第二栅极之间，且该第二栅极、该源极接触结构以及该漏极接触结构属于同一膜层。
7.一种主动元件基板的制造方法，其特征在于，包括：
形成一第一栅极于一基板上；
形成一第一绝缘层于该第一栅极上；
形成一非结晶金属氧化物层于该第一栅极上；
形成一第二绝缘层于该非结晶金属氧化物层上；
形成一非结晶硅层于该第二绝缘层上，且该非结晶金属氧化物层位于该非结晶硅层与该第一栅极之间；
进行一快速热退火制作工艺，以将该非结晶金属氧化物层转变成一结晶金属氧化物层；以及
形成一第一源极与一第一漏极，与该结晶金属氧化物层电连接。
8.如权利要求7所述的主动元件基板的制造方法，其中该快速热退火制作工艺的最高温度为400度～700度，且持续时间为30秒～6分钟。
9.如权利要求7所述的主动元件基板的制造方法，还包括：
形成一第二栅极于该基板上；
形成一硅半导体层，该硅半导体层至少覆盖部分该第二栅极；以及
形成一第二源极与一第二漏极，与该硅半导体层电连接。
10.如权利要求9所述的主动元件基板的制造方法，其中形成该硅半导体层的方法包括：
移除部分该非结晶硅层，剩余的该非结晶硅层包括该硅半导体层。
11.如权利要求9所述的主动元件基板的制造方法，其中形成该硅半导体层的方法包括：
以激光将该非结晶硅层转变为多晶硅层；
移除部分该多晶硅层，剩余的该多晶硅层包括该硅半导体层。
12.如权利要求9所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一栅极与该第二栅极同时形成。
13.如权利要求9所述的主动元件基板的制造方法，其中该硅半导体层与该第二栅极之间夹有该第一绝缘层以及该第二绝缘层。
14.如权利要求7所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一绝缘层以及该第二绝缘层的材料包括氧化硅。
15.如权利要求7所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一绝缘层的厚度为50纳米至300纳米，且该第二绝缘层的厚度为50纳米至300纳米。
16.如权利要求7所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一栅极的材料包括钛或钛与铝的组合。