技术总结
本发明公开一种主动元件基板及其制法，该主动元件基板包括基板、第一主动元件以及第二主动元件。第一主动元件包括第一栅极、结晶金属氧化物层、第一绝缘层、第一源极与第一漏极。结晶金属氧化物层位于第一栅极上。结晶金属氧化物层与第一栅极之间夹有第一绝缘层。以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从结晶金属氧化物的上表面至结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案。第二主动元件包括第二栅极、硅半导体层、第二源极与第二漏极。
技术研发人员：叶家宏
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2018.06.14
技术公布日：2018.09.18