技术特征：
技术总结
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明通过在传统GaNHEMT器件的栅极与漏极之间形成具有整流作用的横向肖特基二极管，以此作为耐压结构来调制器件表面电场，优化横向电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的；同时，横向肖特基二极管的存在还可以在阻断状态下承受一定反向电压，在正向导通状态下避免栅极加正压时栅极产生过大的泄漏电流，保证了器件的正向电流能力；此外，本发明相比场板结构不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，提高了器件的可靠性。
技术研发人员：杜江锋;汪浩;刘勇;白智元;辛奇;于奇
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.06.28
技术公布日：2018.11.23