技术特征：
技术总结
提供了垂直场效应晶体管(vFET)和包括其的半导体器件。该vFET包括在衬底的上部处并掺杂以第一杂质的第一杂质区。第一扩散控制图案形成在第一杂质区上。第一扩散控制图案配置为控制第一杂质的扩散。沟道在与衬底的上表面基本上正交的垂直方向上延伸。第二杂质区在沟道上并掺杂以第二杂质。第二扩散控制图案在沟道与第二杂质区之间。第二扩散控制图案配置为控制第二杂质的扩散。栅极结构与沟道相邻。
技术研发人员：刘庭均;金昶熹;朴星一;李东勋
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.09.11
技术公布日：2019.03.19