例中，蚀刻停止层1000、1210包括SiN、SiCN, SiCO, CN或它们的组合等。蚀刻停止层1000、1210以多种方式形成，诸如通过热生长、化学生长、原子层沉积(ALD )、化学汽相沉积(CVD )、等离子体增强化学汽相沉积(PECVD )等。
[0078]在一些实施例中，至少一个氧化物层1250形成在蚀刻停止层1000、1210之间且在电容器750的第二电极层720之上。在一些实施例中，氧化物层1250以多种方式形成,诸如例如通过沉积、化学汽相沉积(CVD)或其他合适的方法。氧化物层1250包括多种材料，该多种材料包括氧化物、氧化硅、氮化物、氮化硅、氮氧化物、S12或它们的组合等。
[0079]根据一些实施例，BARC层1270形成在氧化物层1250的上方。BARC层1270包括多种材料，该多种材料包括硅、S1C、S1N、其他半导体材料等。
[0080]参见图13，根据一些实施例，诸如通过湿蚀刻、干蚀刻等去除BARC层1270。在一些实施例中，在去除BARC层1270之后，在氧化物层1250和蚀刻停止层1000、1210中形成第一开口 1300和第二开口 1302。
[0081]根据一些实施例，拾取接触件1320形成在第一开口 1300中。在一个实施例中，拾取接触件1320延伸穿过氧化物层1250和蚀刻停止层1000、1210。在一些实施例中，拾取接触件1320与绝缘层700和第二电极层720相接触。拾取接触件1320以多种方式形成，诸如通过单镶嵌工艺、双镶嵌工艺等。
[0082]根据一些实施例，通孔接触件1322形成在第二开口 1302中。在一个实施例中，通孔接触件1322延伸穿过氧化物层1250和蚀刻停止层1000、1210。在一些实施例中，通孔接触件1322与逻辑接触件112相接触。通孔接触件1322以多种方式形成，诸如通过单镶嵌工艺、双镶嵌工艺等。
[0083]图14示出了根据一些实施例的形成半导体布置(诸如半导体布置100、1200)的方法1400。在步骤1402中，在至少一个介电层140的顶面404的上方以及至少一个介电层140中的开口 300、302内形成第一电极层400，这样使得至少三个介电层140c、140d、140e位于开口 300、302内的第一电极层400的底面410和半导体布置100、1200的有源区120之间。在步骤1404中，去除位于顶面404上方的第一电极层400的表面部分402。在步骤1406中，绝缘层700形成在第一电极层400和顶面404的上方。在步骤1408中，第二电极层720形成在绝缘层700的上方。
[0084]根据一些实施例，半导体布置100、1200包括电容器750，其中，至少三个介电层140c、140d、140e位于第一电极层400的底面410和半导体布置100、1200的有源区120之间。在一些实施例中，位线150的高度相对于有源区120比较低，这样降低了位线150和电容器750之间的电阻(Rb)。同样地，也降低了寄生电容(Cb)。
[0085]在一个实施例中，半导体布置包括有源区，有源区包括半导体器件。在一个实施例中，半导体布置包括电容器，电容器具有第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层。在一个实施例中，至少三个介电层位于电容器的底面和有源区之间。
[0086]在一个实施例中，半导体布置包括有源区，有源区包括半导体器件。在一个实施例中，半导体布置包括电容器，电容器具有第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层。在一个实施例中，至少一个介电层位于电容器的底面和设置在有源区之上的位线之间。在一个实施例中，电容器的高度和电容器的宽度的高宽比介于约5和约25之间。
[0087]在一个实施例中，形成半导体布置的方法包括:在至少一个介电层的顶面的上方和至少一个介电层的开口内形成第一电极层，这样使得至少三个介电层位于开口内的第一电极层的底面和半导体布置的有源区之间。在一个实施例中，该方法包括去除位于顶面上方的第一电极层的表面部分。在一个实施例中，该方法包括在第一电极层和顶面的上方形成绝缘层。在一个实施例中，该方法包括在绝缘层上方形成第二电极层。
[0088]尽管已经使用针对结构特征或方法步骤的语言描述了主题，但是应该理解，所附权利要求的主题不必限于上述的特定特征或步骤。更确切地说，上述特定特征和步骤公开为实现至少一些权利要求的实例形式。
[0089]本文提供了实施例的不同操作。描述的一些或所有操作的顺序不应该被解释为暗示着这些操作必须是顺序依赖的。应该知道，可选顺序具有本描述的优点。此外，应该理解，不是所有操作都必须存在于本文提供的每个实施例中。并且，也应该理解，在一些实施例中，不是所有操作都是必须的。
[0090]应该理解，为了简化和便于理解的目的，本文描述的层、区域、部件、元件等示出为具有相对于彼此的特定尺寸，诸如例如结构尺寸和/或方位并且在一些实施例中，相同部件的实际尺寸与本文示出的显著不同。此外，存在多种技术用于形成本文提到的层、区域、部件、兀件等，诸如例如注入技术、掺杂技术、旋涂技术、派射技术、生长技术(诸如热生长)和/或沉积技术(诸如化学汽相沉积(CVD ))。
[0091]此外，本文使用的术语“示例性”是指用作实例、例子、例证等，且不必是有益的。本申请中所使用的“或”旨在指包含的“或”而不是排他的“或”。此外，除非另有说明或从上下文语境中清楚地表明为单数形式，本申请和所附权利要求中所使用的“一”和“一个”通常被解释为是指“一个或多个”。并且，A和B的至少一个等通常指A或B或者A和B。此夕卜，在一定程度上使用“包括”、“具有”、“有”、“带有”或其变体，这样的术语旨在以类似于术语“包括”的方式是包含的。并且，除非另有说明，否则“第一”、“第二”等不旨在暗示时间方面、空间方面、顺序等。更确切地说，这样的术语仅用作用于部件、元件、物件等的标识、名称等。例如，第一区域和第二区域通常对应于A区域和B区域或者两个不同或两个相同区域或者相同类型的区域。
[0092]并且，虽然相对于一个或多个实现方式示出和描述了本发明，但是，基于阅读和理解本说明书和附图，本领域的技术人员能够想到等同改变和更改。本发明包括所有这样的更改和改变且仅由下面的权利要求的范围限定本发明。特别地，关于由上述组件(例如，元件、资源等)执行的各种功能，除非另有说明，用于描述这样的组件的术语对应于执行特定功能(例如，功能等同)的任何组件，即使与公开的结构非结构等同。此外，虽然仅相对于若干实现方式中的一个公开了本发明的特定部件，这样的部件可以根据用于任何给定或特定应用的需要和优点与其他实现方式的一个或多个其他部件结合。
【主权项】
1.一种半导体布置，包括: 有源区，包括半导体器件；以及 电容器，具有第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的绝缘层，至少三个介电层位于所述电容器的底面和所述有源区之间。
2.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，至少一个介电层位于所述电容器的底面和设置在所述有源区之上的位线之间。
3.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，所述电容器的高度和所述电容器的宽度的高宽比介于约5至约25的范围内。
4.一种半导体布置，包括: 有源区，包括半导体器件；以及 电容器，具有第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的绝缘层，至少一个介电层位于所述电容器的底面和设置在所述有源区之上的位线之间，其中，所述电容器的高度和所述电容器的宽度的高宽比介于约5至约25的范围内。
5.根据权利要求4所述的半导体布置，其中，至少三个介电层位于所述电容器的底面和所述有源区之间。
6.一种形成半导体布置的方法，包括: 在至少一个介电层的顶面的上方和所述至少一个介电层中的开口内形成第一电极层，使得至少三个介电层位于所述开口内的所述第一电极层的底面和所述半导体布置的有源区之间； 去除位于所述顶面上方的所述第一电极层的表面部分； 在所述第一电极层和所述顶面的上方形成绝缘层；以及 在所述绝缘层的上方形成第二电极层。
7.根据权利要求6所述的方法，包括:在去除所述第一电极层的所述表面部分之前，在所述第一电极层的上方形成BARC层。
8.根据权利要求7所述的方法，包括:从所述第一电极层去除所述BARC层。
9.根据权利要求6所述的方法，包括:在所述第二电极层的上方形成至少一个介电层。
10.根据权利要求6所述的方法，包括:在所述第二电极层的上方形成至少一个氧化物层。
【专利摘要】本发明公开的一种半导体布置包括有源区，该有源区包括半导体器件。该半导体布置包括电容器，该电容器具有第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层。至少三个介电层位于电容器的底面和有源区之间。本发明还公开了具有与有源区分隔开的电容器的半导体布置。
【IPC分类】H01L23-522, H01L21-768
【公开号】CN104576598
【申请号】CN201410012112
【发明人】徐晨祐, 刘世昌, 蔡嘉雄, 陈晓萌, 王铨中
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年1月10日
【公告号】US20150115409