r>[0027]本发明的第五方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，在上述托盘保持器和上述基板支撑板的至少一方，设置有用于将冷却气体导入至与上述基板的处理面相反侧的面的气体导入孔。
[0028]本发明的第六方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，上述磁铁被埋设于上述托盘本体，在上述托盘本体上设置有具有比上述基板的外径小的第I直径的第I开口部，从上述第I开口部向外侧延伸的环面，和通过上述环面与上述第I开口部连接、并具有比上述基板外径大的第2直径的第2开口部，上述基板保持部通过上述第I开口部、上述第2开口部及上述环面形成，通过上述环面和上述基板支撑部夹持上述基板，并通过上述第2开口部限制上述基板的位置。
[0029]本发明的第七方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，在上述托盘本体中埋设有轭铁。
[0030]本发明的第八方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，上述托盘本体由非磁性材料形成。
[0031]发明效果
[0032]根据本发明的第一方面所记载的发明，有通过磁力使托盘本体保持基板支撑板，并以基板保持部和基板支撑部保持基板，由此抑制微粒产生、构造物对基板处理的影响，由热传递介质所产生的冷却性能(温度控制)优良，进而可以对应量产装置容易进行基板的装卸的效果。另外，根据本发明的第一方面所记载的发明，因基板托盘经由密封构件而通过托盘保持器保持，所以，不会有基板托盘和托盘保持器之间的冷却气体泄漏，冷却气体泄漏路径被限定在基板托盘和基板之间，所以，有冷却性能(温度控制)优良的效果。
[0033]根据本发明的第二方面所记载的发明，通过夹紧托盘本体的周边部的夹紧环的推压，托盘本体的下面和托盘保持器的托盘本体支撑面利用密封构件被密封，所以，不会有基板托盘和托盘保持器之间的冷却气体泄漏，冷却气体泄漏路径被限定于基板托盘和基板间，所以，有冷却性能(温度控制)优良的效果。
[0034]根据本发明的第三方面或第四方面所记载的发明，因夹紧环被配置成将与密封构件相向的托盘本体的周边部夹紧，所以，以密封构件为支点，基板托盘翘曲成上侧成为凸状，并且因基板托盘和托盘保持器之间的距离不会变大，所以，有冷却性能(温度控制)优良的效果。
[0035]根据本发明的第五方面所记载的发明，通过在托盘保持器及基板支撑板的至少一方设置用于将冷却气体导入至基板的处理面的相反侧的面的气体导入孔，具有可以有效率地冷却基板的效果。
[0036]根据本发明的第六方面所记载的发明，基板保持部通过具有比基板的外径小的第I直径的第I开口部、从上述第I开口部向外侧延伸的环面和通过上述环面与第I开口部连接并且具有比上述基板的外径大的第2直径的第2开口部形成基板保持部，由此，具有能够更可靠地保持基板的效果。另外，因通过磁铁被埋设于托盘本体，可以使基板支撑板变薄，所以，有可以谋求提高基板冷却性能的效果。
[0037]根据本发明的第七方面的发明，因通过在托盘本体中埋设轭铁，可以使基板托盘变薄，所以，有可以减少搬运机械臂(口求、;/卜)等搬运系统的负担的效果。
[0038]根据本发明的第八方面所记载的发明，通过由非磁性材料形成托盘本体，具有可以抑制在磁力线从轭铁漏出时磁力线作用至等离子处理空间的效果。
[0039]本发明的其他特征及优点通过参照附图而作出的下述说明清楚可知。并且，附图中，对相同或同样的结构，赋予相同参照号码。
【附图说明】
[0040]附图包含在说明书中，构成其一部分，表示本发明的实施方式，与该记述一起用于说明本发明的原理。
[0041]图1是用于说明本发明的一个实施方式的成膜装置的概略图。
[0042]图2A是用于说明基板托盘构造的第I结构例的概略剖视图。
[0043]图2B是用于说明基板托盘构造的第I结构例的概略剖视图。
[0044]图2C是用于说明基板托盘构造的第2结构例的概略剖视图。
[0045]图2D是用于说明基板托盘构造的第2结构例的概略剖视图。
[0046]图2E是用于说明通过夹紧环保持基板托盘构造的第I结构例的状态的概略剖视图。
[0047]图2F是用于说明通过夹紧环保持基板托盘构造的第I结构例的状态的概略剖视图。
[0048]图3A是用于例示性地说明使用了单面2极磁铁和I极磁铁的结构例的泄漏磁场的图。
[0049]图3B是用于例示性地说明使用了单面2极磁铁和I极磁铁的结构例的泄漏磁场的图。
[0050]图4是用于说明作为本发明的其他实施方式的基板托盘构造的概略剖视图。
[0051 ]图5是表示对基板托盘配置磁铁的配置图的一例的图。
[0052]图6是例示基板托盘表面的泄漏磁通量密度与不产生放电弧坑的区域的关系图。
[0053]图7是例示基板温度和基板托盘背面，即是基板托盘的磁性体和保持器之间的间隙尺寸的关系的图。
[0054]图8A是对托盘的基板设置方法的说明图。
[0055]图SB是对托盘的基板设置方法的说明图。
[0056]图9A是例示使用基板托盘来保持多张基板的状态的图。
[0057]图9B是例示使用基板托盘来保持多张基板的状态的图。
[0058]图1OA是例示基板托盘表面的泄漏磁通量密度的测定状态的图。
[0059]图1OB是例示基板托盘表面的泄漏磁通量密度的测定状态的图。
[0060]图11是例示使用基板托盘而在基板上成膜之后的基板托盘的表面状态的图。
[0061]图12A是表示以往的基板托盘的第I例(专利文献I)的图。
[0062]图12B是表示以往的基板托盘的第I例(专利文献I)的图。
[0063]图12C是表示以往的基板托盘的第I例(专利文献I)的图。
[0064]图13A是表示以往的基板托盘的第2例(专利文献2)的图。
[0065]图13B是表示以往的基板托盘的第2例(专利文献2)的图。
[0066]图14是表示以往的基板托盘的第3例(专利文献3)的图。
[0067]图15是表示以往的基板托盘的第4例(专利文献4)的图。
【具体实施方式】
[0068]以下，对用于实施本发明的方式，参照图面进行说明。
[0069]参照图1，说明本发明的一实施方式的溅射装置的结构。该溅射装置包含经由闸阀11能连通地被连接的LL室(加载互锁真空室；口一卜'' 口、;/夕室)I和SP室(溅射室)2。溅射装置的SP室2具备有处理腔室21、保持基板托盘3的托盘保持器4、和用于保持目标物T的目标物保持器5，该基板托盘3保持了基板S，该目标物T用于使溅射粒子在基板S上成膜。在此，托盘保持器4及目标物保持器5被配置在处理腔室21内。
[0070]托盘保持器4是通过上下机构41能够上下移动的，成为在调整目标物T和基板S的距离(以下，称为τ/s间距离)，或搬入及搬出保持了基板S的基板托盘3时，可以通过上下机构41上下移动。并且，在本实施方式中，针对Τ/S间距离、搬入及搬出基板托盘3，虽然使用上下机构41，但是即使使用实现相同功能的另外的机构也是可以的。在托盘保持器4的内部设置有用于冷却托盘保持器4的未图示的冷却水路，成为可以循环冷却水。托盘保持器4由热传导性好的Cu(铜)等材料构成，作为电极(阳极电极)发挥功能。如图2A、图2C、图2E所示，在托盘保持器4设置用于对基板S和基板托盘3之间的间隙，及基板托盘3和托盘保持器4之间的间隙导入冷却气体的冷却气体导入路42。就作为基板S和基板托盘3之间，基板托盘3和托盘保持器4之间的热传递介质的冷却气体而言，使用例如Ar (氩)等惰性气体。另外，如图1所示，设置有环状的夹紧环6，其具有在基板托盘3被载置于托盘保持器4时，可以抑制朝基板托盘3的周缘部、基板托盘3的背面以及托盘保持器4的表面成膜的配置和形状。
[0071]并且，如图2A、图2C、图2E所示，基板托盘3的托盘本体31的端部(下部)31a经由密封构件80 (例如O型环)通过托盘保持器4的端部(上端)4a被保持。假设在没有O型环80时，从托盘本体31和托盘保持器4的接触部分(图2A、图C的81的部分)，从托盘本体31和基板S的接触部分(图2A、图2C的82的部分)之间间隙冷却气体泄漏。其结果，被形成在托盘本体31和托盘保持器4之间的空间中的冷却气体的压力难以上升。并且，因冷却气体泄漏的路径不被限定在基板托盘和基板间，因此难以提高冷却性能。
[0072]通过设置O型环80，没有从托盘本体31和托盘保持器4的接触部分(图2A、图2C的81的部分