的正侧面上的物体的镜头620、用于拍摄的开始-停止开关630以及显示部640。该显示部640由根据前述实施方式的任一种的显示单元配置。
[0156](应用例7)
[0157]图22A和图22B示出了应用了根据前述实施方式中任一种的显示单元的移动电话的外观。例如，在移动电话中，上封装件710和下封装件720可以通过接合部(铰链部)730接合。移动电话可以具有显示器740、子显示器750、图片光760以及相机770。显示器740和子显示器750中的一个或两个可以由根据前述实施方式的任一种的显示单元构成。
[0158]尽管已参考示例性实施方式和变形例描述了本技术，但本技术不限于上述的实施方式等并且可以进行各种变形。例如，在前述实施方式等中，已经描述了其中设置高电阻膜15作为示例的结构。然而，在形成低电阻区域12B之后，可移除高电阻膜15。然而，可以如上所述期望地设置高电阻膜15，因为因此稳定地保持晶体管1T和保持电容器1C的电气特性。
[0159]此外，在前述实施方式等中，已经描述了在基板11上依次具有氧化物半导体膜12、栅极绝缘膜13T以及栅极电极14T的顶栅型晶体管10T。然而，本技术还适用于在基板11上依次具有栅极电极14T、栅极绝缘膜13T以及氧化物半导体膜12的底栅型晶体管。然而，在晶体管1T是顶栅型晶体管的情况下，允许更容易地制造显示单元I。
[0160]此外，在前述实施方式等中，已经描述低电阻区域12B设置在从区域的前表面(上表面)的厚度方向的除了氧化物半导体膜12的沟道区域12C之外的部分中的情况。然而，低电阻区域12B可以设置在从氧化物半导体膜12的前表面(上表面)的全部厚度方向上。
[0161]除此之外，各个层的材料、厚度、膜形成方法、膜形成条件等不局限于在前述实施方式等中描述的那些，并且可以采用其它材料、其它厚度、其它膜形成方法以及其它膜形成条件。
[0162]此外，在前述实施方式等中，已经利用特定示例描述有机EL元件20、液晶显示元件30、电泳显示元件40、晶体管1T以及保持电容器1C的配置。但是，不是所有的层都是必须包括的并且可额外包括其他层。
[0163]除此之外，除了有机EL元件20、液晶显示元件30以及电泳显示元件40之外，本技术还适用于使用诸如无机电致发光元件的显示元件的其他显示单元。
[0164]此外，在前述实施方式等中，已经利用特定示例描述了显示单元的配置。然而，无需包括所有的组件且可以另外包括其他组件。
[0165]除此之外，在前述实施方式等中，已经给出了将显示单元作为包括晶体管1T和保持电容器1C的半导体设备的特定示例的描述。然而，本技术适用于图像探测器等。
[0166]此外，本技术涵盖了本文中所描述的以及整合在本文中的各种实施方式的一些或全部的任意的可能组合。
[0167]从本公开内容的上述示例性实施方式中至少可以实现以下配置。
[0168](I) 一种半导体设备，包括:
[0169]晶体管；
[0170]电容器；以及
[0171]氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享，
[0172]其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
[0173](2)根据(I)所述的半导体设备，其中，所述晶体管包括:
[0174]栅极电极，与所述氧化物半导体膜的沟道区域相对，并且栅极绝缘膜介于其间；以及
[0175]一对低电阻区域，设置为邻近于所述氧化物半导体膜的沟道区域。
[0176](3)根据(2)所述的半导体设备，其中，所述晶体管包括电连接至所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域的源极-漏极电极。
[0177](4)根据(3)所述的半导体设备，其中，所述电容器包括设置在所述氧化物半导体膜与电容器电极之间的电容器绝缘膜。
[0178](5)根据⑷所述的半导体设备，其中，
[0179]所述晶体管和所述电容器被设置在基板上，
[0180]所述晶体管从所述基板依次包括所述氧化物半导体膜、所述栅极绝缘膜以及所述栅极电极，以及
[0181]所述电容器从所述基板依次包括所述含氢膜、所述氧化物半导体膜、所述电容器绝缘膜以及所述电容器电极。
[0182](6)根据(4)或(5)所述的半导体设备，其中，所述含氢膜在平面图中在所述电容器电极周围延伸。
[0183](7)根据(I)至(6)中任一项所述的半导体设备，其中，沿着所述晶体管的沟道长度方向布置所述电容器。
[0184](8)根据(I)至(7)中任一项所述的半导体设备，其中，所述含氢膜包含硅。
[0185](9)根据⑴至⑶中任一项所述的半导体设备，其中，所述含氢膜包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜以及非晶硅膜中的一种。
[0186](10)根据(2)所述的半导体设备，进一步包括与所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域相接触的高电阻膜。
[0187](11)根据(10)所述的半导体设备，其中，所述高电阻膜包含金属氧化物。
[0188](12) —种半导体设备，包括:
[0189]电容器，所述电容器包括与氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
[0190](13) 一种显示单元，设置有多个显示元件和被配置为驱动所述多个显示元件的半导体设备，所述半导体设备包括:
[0191]晶体管；
[0192]电容器；以及
[0193]氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享，
[0194]其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
[0195](14) 一种电子装置，具有显示单元，所述显示单元设置有多个显示元件和被配置为驱动所述多个显示元件的半导体设备，所述半导体设备包括:
[0196]晶体管；
[0197]电容器；以及
[0198]氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享，
[0199]其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
[0200]本公开内容包含于在2012年11月5日提交给日本专利局的日本优先权专利申请JP 2012-243319中公开的主题相关的主题，通过引用将其全部内容结合于此。
[0201]本领域技术人员应理解，可根据设计要求和其它因素进行各种修改、组合、子组合和替换，只要它们在所附权利要求或其等同物的范围之内即可。
[0202]参考标记列表
[0203]1、1A、1B 显示单元
[0204]1T晶体管
[0205]1C保持电容器
[0206]11 基板
[0207]12氧化物半导体膜
[0208]12T沟道区域
[0209]12B低电阻区域
[0210]12C电极相对区域
[0211]13T栅极绝缘膜
[0212]14T栅极电极
[0213]15高电阻膜
[0214]15A金属膜
[0215]16含氢膜
[0216]17层间绝缘膜
[0217]18源极-漏极电极
[0218]19平面膜
[0219]20有机EL元件
[0220]21第一电极
[0221]22像素隔离膜
[0222]23有机层
[0223]24第二电极
[0224]25保护层
[0225]26粘合层
[0226]27密封基板
[0227]H1、H2 连接孔
[0228]50显示区域
[0229]51水平选择器
[0230]52写入扫描器
[0231]53电源扫描器
[0232]DSL扫描线
[0233]DTL信号线
[0234]50A像素电路
[0235]30液晶显示元件
[0236]31,41像素电极
[0237]32反电极
[0238]33液晶层
[0239]34A、34B 配向膜
[0240]35、44相对基板
[0241]36 背光
[0242]37A、37B 偏光板
[0243]40 电泳显示元件
[0244]42共用电极
[0245]43显示层
【主权项】
1.一种半导体设备，包括: 晶体管； 电容器；以及 氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享， 其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述晶体管包括: 栅极电极，与所述氧化物半导体膜的沟道区域相对，并且栅极绝缘膜介于所述栅极电极与所述氧化物半导体膜的沟道区域之间； 以及 一对低电阻区域，设置为邻近于所述氧化物半导体膜的沟道区域。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述晶体管包括电连接至所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域的源极-漏极电极。
4.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述电容器包括设置在所述氧化物半导体膜与电容器电极之间的电容器绝缘膜。
5.根据权利要求4所述的半导体设备，其中， 所述晶体管和所述电容器被设置在基板上， 所述晶体管从所述基板依次包括所述氧化物半导体膜、所述栅极绝缘膜以及所述栅极电极，以及 所述电容器从所述基板依次包括所述含氢膜、所述氧化物半导体膜、所述电容器绝缘膜以及所述电容器电极。
6.根据权利要求4所述的半导体设备，其中，所述含氢膜在平面图中在所述电容器电极周围延伸。
7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，沿着所述晶体管的沟道长度方向布置所述电容器。
8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述含氢膜包含硅。
9.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述含氢膜包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜以及非晶硅膜中的一种。
10.根据权利要求2所述的半导体设备，进一步包括与所述氧化物半导体膜的所述低电阻区域相接触的高电阻膜。
11.根据权利要求10所述的半导体设备，其中，所述高电阻膜包含金属氧化物。
12.—种半导体设备，包括: 电容器，包括与氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
13.—种显示单元，设置有多个显示元件和被配置为驱动所述多个显示元件的半导体设备，所述半导体设备包括: 晶体管； 电容器；以及 氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享， 其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
14.一种电子装置，具有显示单元，所述显示单元设置有多个显示元件和被配置为驱动所述多个显示元件的半导体设备，所述半导体设备包括: 晶体管； 电容器；以及 氧化物半导体膜，由所述晶体管和所述电容器共享， 其中，所述电容器包括与所述氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
【专利摘要】提供一种半导体设备，该半导体设备包括电容器。该电容器包括与氧化物半导体膜相接触的含氢膜。
【IPC分类】H01L27-12
【公开号】CN104756253
【申请号】CN201380056546
【发明人】诸沢成浩, 佐藤步
【申请人】索尼公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年10月10日
【公告号】US20150279871, WO2014068859A1