法可进一步包括:在步骤
3)或4)之后，对非晶态透明导电层进行热处理。通过热处理过程，可使非晶态透明导电层结晶，并可使得金属层紧实。
[0055]透明导电层是否结晶可通过测量透明导电层的电阻来判断。在此情况下，当所述电阻显示出结晶的透明导电层的电阻值时，大体上可判断已完成结晶，但是关于是否进行了充分结晶，当额外将透明导电层浸入到用于非晶态透明导电层的蚀刻溶液中观察到电阻值的大的变化时，则可判断所述结晶并未充分实现。原因是由于充分结晶的透明导电层与金属蚀刻溶液的反应很微弱，所述电阻不会显著升高。
[0056]另一种测量透明导电层的结晶度的方法为观察结晶化的透明导电层的平面晶粒尺寸。通过以相同厚度形成结晶透明导电层和非晶态透明导电层，在进行非晶态透明导电层的图案化过程之后，如果以另外的方法进行额外的热处理，则当所述晶粒尺寸接近结晶透明导电层区域的晶粒尺寸时，可判断非晶态透明导电层已结晶。
[0057]再一种测量透明导电层的结晶度的方法为观察制得的样本的断面结构。当观察断面结构时，以具有结晶透明导电层的晶粒生长的下部较小而晶粒生长的上部较大的形式的柱形结构而进行生长，在此情况下，当上部的非晶态透明导电层的薄膜另外结晶时，在结晶透明导电层的柱形结构上又会生长和凸起新的柱形结构，并可确认其间的界面。
[0058]最后，判断结晶化的最简单的方法是测量方块电阻的方法。例如，由于非晶态ITO的方块电阻约为270 Ω / □而结晶ITO的方块电阻约为50 Ω / 口，在结晶化前/后测量透明导电层的方块电阻，以判断透明导电层是否结晶。
[0059]此外，根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法可进一步包括:在步骤
4)后，在所述金属层上形成金属氧化物层。
[0060]所述金属氧化物层可通过将所述金属层浸入氧化剂溶液而形成。更详细的说，通过将金属层浸入氧化剂溶液，而仅在选择性露出的金属层的表面部分诱导氧化反应，因此，在金属层上形成金属氧化物层。所述金属氧化物层可用来作为金属层的绝缘层。
[0061]所述氧化剂溶液可不需特别限定地采用本领域公知的材料，只要氧化剂溶液是可使金属层氧化的材料。例如，当金属层包括Cu时，可采用NaOH作为氧化剂溶液，因此，可在金属层的上表面上形成CuO金属氧化物层。在此情况下，在结晶透明导电层与NaOH之间不存在反应性，因而不会影响电导率。
[0062]如上所述，作为本发明的示例性实施例，在下图3中示例说明了制备导电基板的方法，其额外包括在金属层上形成金属氧化物层。
[0063]此外，根据本发明的示例性实施例的导电基板包括:基板；设置于所述基板上的第一透明导电层；以及设置于所述第一透明导电层上的第二透明导电层，且所述第二透明导电层中包括金属图案。
[0064]在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，由于所述基板、透明导电层、金属层等已如上所述，其详细说明将予以省略。
[0065]如上所述，设置于第二透明导电层中的金属图案可通过以下方式形成:在第一透明导电层(即结晶透明导电层)上形成非晶态透明导电层；通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出所述第一透明导电层；以及在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
[0066]在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述第一透明导电层与第二透明导电层设置为彼此接触，第一透明导电层与第二透明导电层彼此接触的两个表面的组成材料可彼此相同。
[0067]此外，所述第一透明导电层与第二透明导电层设置为彼此接触，并且从第一透明导电层与第二透明导电层彼此接触的表面的观察位置所观察的晶粒结构可具有以下形式，其中，上部与下部以具有柱形的结构彼此接触而具有边界，其中，上面的宽度与下面的宽度彼此不同。
[0068]所述金属图案的厚度可小于所述第二透明导电层的厚度，但不仅限于此。此外，所述金属图案的厚度可为第二透明导电层厚度的80-120%，但不仅限于此。
[0069]所述第一透明导电层、第二透明导电层和金属层的各自厚度可独立地为50nm-2000nm,但不仅限于此。
[0070]在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述第二透明导电层可包括第二透明导电图案和至少一个图案开放区域，且所述金属图案可设置于所述至少一个图案开放区域中。在此情况下，所述金属图案的上部面积可为所述图案开放区域的上部面积的20%以上且小于100%，以及所述金属图案的上部面积可为所述图案开放区域的上部面积的80%以上且小于100%，但本发明不仅限于此。
[0071]在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，当将所述第二透明导电层的厚度设为D且顶部的高度设为O时，所述金属图案的顶部的位置D2可满足下列方程式1:
[0072][方程式I]
[0073]-0.2D〈D2〈0.2D
[0074]此外，所述金属图案的顶部的位置D2可满足下列方程式2:
[0075][方程式2]
[0076]-0.8D〈D2〈D
[0077]由于金属层形成于露出第一透明导电层的图案开放区域中，第一透明导电层的顶部可与金属图案的底部相接触，因此第一透明导电层与金属图案可彼此电连接。
[0078]所述金属图案的平面形状可具有各种图案形状，包括规则图案结构、不规则图案结构等，且可根据本领域技术人员的选择来控制开口率。
[0079]金属图案和第二透明导电层之间的界面可垂直于第一透明导电层。此外，金属图案和第二透明导电层之间的界面可与第一透明导电层的顶部保持顺时针方向的预定角度。例如，所述界面可与第一透明导电层的顶部之间具有顺时针方向的10°至170°、30°至150°等的角度。所述角度可在所述制备过程中自然形成。
[0080]所述金属图案的高度/宽度可等于或小于I且可为1/3至1，但不仅限于此。
[0081 ] 在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述金属图案上可额外包含金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案。所述金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案可用来作为金属图案的绝缘层。所述金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案可设置于所述金属图案的顶部上，也可设置于暴露在第二透明导电层上的金属图案的侧面上。
[0082]在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述金属图案的至少一个表面不与第一透明导电层和第二透明导电层相接触，且所述金属图案的不与第一透明导电层和第二透明导电层相接触的至少一个表面上可额外包含金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案。
[0083]所述金属氧化物层可通过将金属层浸入氧化剂溶液中或通过在氧气氛围下热处理对应的基板而形成。更详细的说，通过将金属层浸入氧化剂溶液中或通过在氧气氛围下热处理对应的基板，仅在选择性露出的金属层的表面部分诱导氧化反应，因此在金属层上形成金属氧化物层。金属氧化物层可用来作为金属层的绝缘层或非发光层。当所述层以用作绝缘层的目的来描述时，对应的层不需要绝对是氧化物层，必要时，也可为氮化物层。不过，因为氧化物层和氮化物层均可容易地的通过对应金属的变性而得到，金属图案和金属氧化物层可包含相同的金属。
[0084]本发明可提供一种包括所述导电基板的防窥膜(privacy film)。
[0085]本发明提供一种包括所述导电基板的电子器件。
[0086]所述电子器件可为有机发光装置、有机发光照明装置、有机太阳能电池、触摸屏或显示器，但不仅限于此。
[0087]下图7图示了根据本发明的示例性实施例的有机发光装置的例子。如下图7所示，根据本发明的示例性实施例的有机发光装置可形成自然地在基板的屏幕部分(发光区域)的外侧边缘形成的绝缘层区域(橙色)，且具有的优势有，当有机发光装置材料的沉积过程和极板的沉积形成具有如下结构时:发光区域〈有机发光装置材料沉积区域〈绝缘层区域、发光区域〈极板区域〈有机发光装置材料沉积区域〈绝缘层区域，不同于相关现有技术，可不需要用以形成电极终端的额外的PAD形成过程来制备所述装置。
[0088]更详细的说，所述导电基板可用来作为在电子器件中的电极。在此情况下，第一透明导电层可用来作为主电极，而金属图案可用来作为辅助电极。
[0089]根据本发明的示例性实施例的导电基板如下图4至6所示。
[0090]根据本发明的示例性实施例，可凭借简单的工艺而形成高效导电基板。此外，在本发明中，引入了非晶态透明导电层和金属层以将结晶透明导电层的电阻损耗减至最低。
[0091][最佳实施方式]
[0092]下文中，本发明将参照实施例进行详述。然而，所列实施例仅用来说明本发明，而非限定本发明的范围于此。
[0093]<实施例>
[0094]<实施例1>
[0095]I)在玻璃基板上形成结晶透明导电层
[0096]通过使用下述材料与条件，在玻璃基板上形成厚度为300nm的结晶氧化铟锡(ITO)薄膜。所制得的结晶ITO薄膜的比电阻为2X10_4Dcm。