一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示 装置。
【背景技术】
[0002] 目前，为了简化阵列基板中制备各层结构的构图工艺次数，通常采用灰色调（Gray Tone Mask)或半色调（Half Tone Mask)掩膜技术，在同一次构图工艺中形成多个图形，如 栅极、栅线、公共电极以及连接公共电极的公共电极线等结构，从而简化单独制备各个图形 时的工艺过程。这里，典型的构图工艺包括有成膜、曝光、显影、刻蚀以及剥离等步骤。
[0003] 其中，公共电极等透明电极通常采用高透过率的ITO(Indium Tin Oxide，氧化 铟锡）等透明导电材料构成；栅极、栅线以及公共电极线等金属电极通常采用电阻较低的 Cu (铜）等金属材料构成。由于ITO成膜时直接形成的为a-ITO(非晶态的氧化铟锡），需 对其进行退火（anneal)处理以使a-ITO转变为P-ITO (晶态的氧化铟锡），从而使ρ-ΙΤΟ具 有较低的电阻率并使其具有与显示面板设计要求相符的透过率；此外，对金属Cu材料进行 退火处理还可以消除其残余应力、减少变形与裂纹倾向等内部组织缺陷。
[0004] 如图1所示，上述的构图工艺的具体过程为：
[0005] 步骤（a):在衬底基板100上依次形成透明导电薄膜101、金属薄膜102以及光刻 胶 104 ;
[0006] 步骤（b):采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板，对光刻胶进行曝光、显影，形成对 应于栅极、栅线以及公共电极线的光刻胶完全保留部分l〇4a，对应于公共电极22的光刻胶 半保留部分l〇4b，以及对应于其他区域的光刻胶完全去除区域104c ;
[0007] 步骤（c):刻蚀去除光刻胶完全去除区域对应的透明导电薄膜101、金属薄膜 102 ；
[0008] 步骤（d):采用灰化工艺，去除光刻胶半保留部分，露出覆盖的金属薄膜102 ;
[0009] 步骤（e):刻蚀去除光刻胶半保留部分露出的金属薄膜102,形成公共电极22 ; [0010] 步骤（f):剥离去除光刻胶完全保留部分，并对形成有上述各图形的基板进行退 火处理，之后继续进行如沉积栅绝缘层等后续的制备工艺。
[0011] 然后，在对基板进行退火的过程中，Cu远离ITO -侧的表面上很容易产生氧化，导 致产品不良。具体如图2中的表格所示，在同样的退火气氛及退火时间中，Cu表面产生的 氧化层的厚度正比于退火处理的温度。随着温度升高，氧化层的厚度也随着增加，相应的电 阻值也显著增大，导致通过栅线等金属电极传输相应电信号时的能耗增加。并且，当电阻值 显著增大到一定程度时，相当于使栅线等金属电极发生断路，导致阵列基板难以进行正常 的图像显不。
【发明内容】
[0012] 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，可解决退 火处理时金属电极表面容易产生氧化的问题，提高产品良率。
[0013] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0014] -方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：在衬 底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖所述第一导电图案的上表面的绝 缘图案；其中，所述第一导电图案、第二导电图案采用一次构图工艺形成；所述第一导电图 案包括：依次远离所述衬底基板的第一非晶态透明导电图形、第一金属图形；所述第二导 电图案包括第二非晶态透明导电图形；对形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案以 及所述绝缘图案的所述衬底基板进行退火处理，使所述第一非晶态透明导电图形、所述第 二非晶态透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、第二晶态透明导电图形。
[0015] 优选的，所述绝缘图案与所述第一导电图案、所述第二导电图案在同一次构图工 艺下形成。
[0016] 进一步优选的，在衬底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖所 述第一导电图案的上表面的绝缘图案；其中，所述绝缘图案与所述第一导电图案、所述第二 导电图案在同一次构图工艺下形成，具体包括：在衬底基板上依次形成透明导电薄膜、金属 薄膜、绝缘薄膜、以及光刻胶；采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板，对形成有所述光刻胶的 所述衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻 胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的第一导电图案的区域所述 光刻胶半保留部分对应待形成的第二导电图案的区域所述光刻胶完全去除区域对应其他 区域；采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区域对应的所述绝缘薄膜、所述金属薄膜、 以及所述透明导电薄膜；采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分；采用刻蚀工艺，去除 所述光刻胶半保留部分对应的所述绝缘薄膜、所述金属薄膜，形成所述第一导电图案、所述 第二导电图案；采用剥离工艺，去除所述光刻胶完全保留部分，露出所述绝缘图案。
[0017] 优选的，所述第一金属图形包括：依次远离所述衬底基板的第一金属合金层、第一 金属单质层。
[0018] 在上述基础上优选的，所述第一导电图案包括：栅极的图案、栅线的图案、以及公 共电极线的图案；所述第二导电图案包括：公共电极的图案或像素电极的图案；其中，当所 述第二导电图案包括公共电极的图案时，所述公共电极线与所述公共电极相接触；当所述 第二导电图案包括像素电极的图案时，所述公共电极线与所述像素电极互不接触。
[0019] 进一步优选的，所述第一非晶态透明导电图形对应于所述公共电极线的部分与所 述第二非晶态透明导电图形为一体结构。
[0020] 进一步优选的，所述对形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案以及所述绝 缘图案的所述衬底基板进行退火处理，使所述第一非晶态透明导电图形、所述第二非晶态 透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、所述第二晶态透明导电图形之前，所述 制备方法还包括：在形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案、以及所述绝缘图案的基 板上形成栅绝缘层。
[0021] 另一方面、本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括衬底基板；所述阵列基板还 包括：位于所述衬底基板上同层设置的第一导电图案、第二导电图案、以及至少覆盖所述第 一导电图案的上表面的绝缘图案；其中，所述第一导电图案包括依次远离所述衬底基板的 第一晶态透明导电图形、第一金属图形；所述第二导电图案包括第二晶态透明导电图形。
[0022] 优选的，所述第一金属图形包括：依次远离所述衬底基板的第一金属合金层、第一 金属单质层。
[0023] 进一步优选的，所述第一导电图案包括：栅极的图案、栅线的图案、以及公共电极 线的图案；所述第二导电图案包括：公共电极的图案或像素电极的图案；其中，当所述第二 导电图案包括公共电极的图案时，所述公共电极线与所述公共电极相接触；当所述第二导 电图案包括像素电极的图案时，所述公共电极线与所述像素电极互不接触。
[0024] 进一步优选的，所述第一晶态透明导电图形对应于所述公共电极线的部分与所述 第二晶态透明导电图形为一体结构。
[0025] 进一步优选的，所述阵列基板还包括：位于包括有所述第一导电图案、所述第二导 电图案、以及所述绝缘图案的基板上的栅绝缘层。
[0026] 再一方面、本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述的所述的阵列基板。
[0027] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的所述的显示面板。
[0028] 基于此，通过本发明实施例提供的上述制备方法，由于在对包括有第一导电图案、 第二导电图案的