图1(A)及图1(B)所示的半导体装置的制造方法例进行说明。
[0030]图2及图3是用以说明半导体装置的制造方法例的剖面图。在半导体装置的制造方法例中，首先如图2(A)所示，准备配线基板2。此处作为一例而制作复数个配线基板以矩阵状连接设置的构造的集合基板。再者，也可使用市售的配线基板。
[0031]在配线基板2中，作为绝缘层21，可使用例如硅基板、玻璃基板、陶瓷基板、环氧玻璃等树脂基板等。
[0032]在配线层22及配线层23形成例如信号线、电源线、接地线等。再者，配线层22及配线层23的各者并不限定于单层构造，也可为隔着绝缘层而积层有经由绝缘层的开口部而电性连接的复数个导电层的积层构造。在配线层22及配线层23使用例如铜箔、铜、银或含有该等的导电镀敷或导电膏，也可视需要而对表面施加镀镍或镀金等。
[0033]通孔24是以贯通绝缘层21的方式形成有复数个。通孔24具有例如设置在贯通绝缘层21的开口的内表面的导体层及填充至导体层内侧的填孔材料。在导体层使用例如铜、银或含有该等的导电镀敷或导电膏，也可视需要而对表面施加镀镍或镀金等。填孔材料是使用例如绝缘材料或导电材料而形成。再者，并不限定于此，例如也可通过利用镀敷等将金属材料(铜等)填充至贯通孔内而形成通孔24。
[0034]在阻焊剂28以配线层22的至少一部分(连接垫等)露出的方式形成开口部。在阻焊剂29以配线层23的至少一部分(连接垫等)露出的方式形成开口部。作为阻焊剂28及阻焊剂29，可使用例如所述绝缘性树脂材料，例如可使用紫外线硬化型树脂或热硬化型树脂等。
[0035]进而，如图2(A)所示，在配线基板2上形成绝缘树脂层3。作为绝缘树脂层3，可使用例如如下层，该层使用可适用于阻焊剂28及阻焊剂29的材料。
[0036]其次，如图2 (B)所示，通过去除绝缘树脂层3的一部分而形成间隔件3a及间隔件3b。例如在绝缘树脂层3为紫外线硬化型树脂的情形时，在绝缘树脂层3的一部分上形成抗蚀剂，将该抗蚀剂作为掩膜而照射紫外线，由此使绝缘树脂层3的未形成掩膜的部分硬化。其后通过去除掩膜下的未硬化的部分而可形成间隔件3a及间隔件3b。又，抗蚀剂形成后，也可将该抗蚀剂作为掩膜来通过喷砂处理而去除绝缘树脂层3的一部分。再者，并不限定于此，例如也可通过对绝缘树脂层3的一部分照射雷射光而去除绝缘树脂层3的一部分。由于使用雷射光故而不需要抗蚀剂，因此可进一步降低制造成本。
[0037]其次，如图2(C)所示，在夹在间隔件3a与间隔件3b之间的区域配置半导体芯片
4。例如可使用芯片贴装机等而隔着未图示的DAF配置半导体芯片4。进而，在配线基板2上配置表面安装元件9。进而，将接合线7接合于半导体芯片4上所设置的电极垫与配线层22上所设置的连接垫。
[0038]其次，如图3(A)所示，以重叠在半导体芯片4的方式，通过使用粘接层5而将间隔件3a及间隔件3b与半导体芯片6贴合，从而在间隔件3a及间隔件3b上配置半导体芯片6。进而，使用粘接层5积层复数个半导体芯片6，且将接合线8接合在半导体芯片6上所设置的电极垫与配线层22上所设置的连接垫。
[0039]其次，如图3(B)所示，通过将密封树脂填充至由配线基板2、间隔件3a、间隔件3b及半导体芯片6所包围的区域、及半导体芯片6的周围而形成密封树脂层10。此时，密封树脂的黏度是根据间隔件3a及间隔件3b的间隔或厚度等而适当调整。进而，通过在配线基板2的第2面形成焊锡球而形成外部连接端子25。作为外部连接端子25，例如可设置信号端子、电源端子、接地端子等。外部连接端子25是经由配线层23及通孔24而电性连接在配线层22。外部连接端子25具有焊锡球。焊锡球是设置在配线层23的连接垫上。再者，也可设置焊盘代替焊锡球。
[0040]其后，在使用集合基板的情形时，针对每个半导体装置而进行基板的切割，从而分离为各个半导体装置。对于切割，例如可使用金刚石刀片等刀片。
[0041]进而，例如也可进行刻印制造编号等的标记，也可在标记之后进行热处理。又，也可在密封树脂层10上设置保护绝缘层或导电性屏蔽层等。以上为本实施方式中半导体装置的制造方法例的说明。
[0042]再者，本实施方式的半导体装置的构造并不限定于图1所示的构造。对本实施方式的半导体装置的另一构造例进行说明。再者，对于与图1所示的半导体装置相同的部分，可适当引用图1所示的半导体装置的说明。
[0043]图4是表示本实施方式的半导体装置的另一构造例的剖面图。图4所示的半导体装置I是图1 (B)所示的将半导体芯片4与配线基板2电性连接的接合线7的一部分埋入于粘接层5的构造。此时，间隔件3a及间隔件3b具有较半导体芯片4的第I厚度厚且较自半导体芯片4的形成面至接合线7的顶部为止的高度薄的第3厚度。通过将接合线7埋入于粘接层5，例如在填充密封树脂而形成密封树脂层10时，可抑制接合线7的变形、短路或断线。
[0044]图5是表示本实施方式的半导体装置的另一构造例的剖面图。图5所示的半导体装置I具备半导体芯片14来代替图1 (B)所示的半导体芯片4。半导体芯片14为倒装芯片型半导体芯片，具备具有焊锡球的外部连接端子。半导体芯片14是通过外部连接端子而与配线基板2电性连接。通过利用倒装芯片接合将半导体芯片14与配线基板2电性连接而无需接合线7，因此可使半导体芯片14与配线基板2的连接不良难以产生。又，可通过倒装芯片接合而增加半导体芯片的外部连接端子数量。再者，半导体芯片的构造并不限定于此，也可使用其他构造的半导体芯片。
[0045]再者，本实施方式是作为例示而提出者，并未意欲限定发明的范围。该等新颖的实施方式是能以其他各种形态来实施者，可在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换或变更。该等实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。
[0046][符号的说明]
[0047]I半导体装置
[0048]2配线基板
[0049]3绝缘树脂层
[0050]3a间隔件
[0051]3b间隔件
[0052]4半导体芯片
[0053]5粘接层
[0054]6半导体芯片
[0055]7接合线
[0056]8接合线
[0057]9表面安装元件
[0058]10密封树脂层
[0059]14半导体芯片
[0060]21绝缘层
[0061]22配线层
[0062]23配线层
[0063]24通孔
[0064]25外部连接端子
[0065]28阻焊剂
[0066]29阻焊剂。
【主权项】
1.一种半导体装置，其特征在于包含: 配线基板； 第I半导体芯片，其设置在所述配线基板上，具有第I厚度； 第I间隔件及第2间隔件，其等以隔着所述第I半导体芯片而相互分离的方式设置在所述配线基板上，且具有较所述第I厚度厚的第2厚度； 第2半导体芯片，其以重叠在所述第I半导体芯片的方式设置在所述第I间隔件及所述第2间隔件上；以及 密封树脂层，其设于由所述配线基板、所述第I间隔件、所述第2间隔件及所述第2半导体芯片所包围的区域、及所述第2半导体芯片的周围；且所述第I间隔件及所述第2间隔件含有绝缘树脂材料。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述配线基板具有设置在表面的阻焊剂，且 所述第I间隔件及所述第2间隔件含有与所述阻焊剂相同的材料。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于还包含: 黏接层，其将所述第2半导体芯片与所述第I间隔件及所述第2间隔件黏接；以及接合线，其是至少一部分埋入于所述黏接层，且将所述第I半导体芯片与所述配线基板电性连接。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于:所述第2半导体芯片是通过倒装芯片接合而电性连接在所述配线基板。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于: 在配线基板上形成绝缘树脂层； 通过去除所述绝缘树脂层的一部分而形成第I间隔件及第2间隔件； 在所述配线基板上的夹在所述第I间隔件与所述第2间隔件之间的区域配置第I半导体芯片； 以重叠在所述第I半导体芯片的方式，在所述第I间隔件及所述第2间隔件上配置第2半导体芯片；以及 通过将密封树脂填充在由所述配线基板、所述第I间隔件、所述第2间隔件及所述第2半导体芯片所包围的区域、及所述第2半导体芯片的周围而形成密封树脂层。
【专利摘要】本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置可提高半导体装置的动作速度，并且缩小安装面积。实施方式的半导体装置具备：配线基板；第1半导体芯片，其设置在配线基板上，且具有第1厚度；第1间隔件及第2间隔件，其等以隔着第1半导体芯片而分离的方式设置在配线基板上，且具有较第1厚度厚的第2厚度；第2半导体芯片，其以重叠在第1半导体芯片的方式设置在第1间隔件及第2间隔件上；密封树脂层，其设于由配线基板、第1间隔件、第2间隔件及第2半导体芯片所包围的区域、及第2半导体芯片的周围。第1间隔件及第2间隔件含有绝缘树脂材料。
【IPC分类】H01L27/115, H01L21/8247
【公开号】CN104916645
【申请号】CN201410453794
【发明人】渡部武志
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2014年9月5日