可以为20nm?60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层25的材料为NPB，空穴传输层25的材料为48nm。
[0034]电子阻挡层30的材料为质量比为3?5:1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物。
[0035]有机娃小分子可以为二苯基二(O-甲苯基)娃(UGHl)、p_ 二 (三苯基娃)苯(UGH2)、1，3-双(三苯基硅)苯(UGH3)或P-双(三苯基硅)苯(UGH4)。上述有机硅小分子能隙宽，有较高的HOMO和LUMO能级，可阻挡电子，酞菁类化合物容易蒸镀，易结晶，可提高出光效率。
[0036]酞菁类金属化合物可以为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镁(MgPc)或酞菁钒(VPc)。
[0037]上述有机硅小分子能隙宽，有较高的HOMO和LUMO能级，可阻挡电子，上述酞菁类化合物容易蒸锻，易结晶，可提闻出光效率。
[0038]电子阻挡层30的厚度为1nm?30nm。
[0039]发光层35的材料可以为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3),发光层35的厚度可以为5nm?40nm。在一个较优的实施例中，发光层35的材料为Alq3，发光层35的厚度为19nm。
[0040]空穴阻挡层40的材料为质量比为10?30:1的铼化合物与磷光材料的混合物。
[0041]铼化合物可以为七氧化二铼(Re2O7)、二氧化铼(ReO2)、三氧化二铼(Re2O3)或三氧化铼(ReO3)。
[0042]磷光材料可以为双(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基卩比唳)合铱(Ir (ppy)3)。
[0043]上述铼化合物容易蒸镀，上述磷光材料具有电子跃迁现象，可补充光色，提高发光强度。
[0044]空穴阻挡层40的厚度为5nm?30nm。
[0045]空穴阻挡层40中，磷光材料的选择与发光层35选择的发光材料的相匹配，即:发光层35选择蓝光发光材料时,磷光材料对应选择蓝光磷光材料；发光层35选择绿光发光材料时，磷光材料对应选择绿光磷光材料。
[0046]电子传输层45的材料可以为电子传输材料。电子传输层45的厚度可以为40nm?250nm。电子传输层材料可以为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。在一个较优的实施例中，电子传输层45的材料为TPBI，电子传输层45的厚度为125nm。
[0047]电子注入层50的材料为氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、碳酸铯(Cs2CO3)或叠氮铯(CsN3)0电子注入层50的厚度为0.5nm?10nm。在一个较优的实施例中，电子注入层50的材料为Cs2CO3,电子注入层50的厚度为2nm。
[0048]阴极55的材料为Ag、Al、Pt或Au,阴极55的厚度为80nm?250nm。在一个较优的实施例中，阴极55的材料为Ag，阴极55的厚度为120nm。
[0049]这种有机电致发光器件的电子阻挡层30由有机硅小分子与酞菁金属化合物掺杂组成，有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，同时，有机硅小分子本身是一种空穴传输材料，可提高空穴传输速率，而酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率，空穴阻挡层40由铼化合物与磷光发光材料组成，铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极55 —端与电子发生复合而发生淬灭，同时，铼化合物熔点较低，因此极易蒸镀，成膜性较好，可减少载流子陷阱的存在，提高激子的复合几率，磷光材料发光性能较好，光色稳定，可有效提闻发光效率。
[0050]相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。
[0051]如图2所示的上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0052]S10、对基底10进行表面预处理。
[0053]基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。
[0054]表面预处理的过程具体为:将基底10用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。
[0055]S20、在基底10上磁控溅射制备阳极15。
[0056]阳极15可以为铟锡氧化物薄膜(IT0)、掺铝的氧化锌薄膜(AZO)或掺铟的氧化锌薄膜(IZ0)，阳极15的厚度为50nm?300nm。在一个较优的实施例中，阳极15为铟锡氧化物薄膜(IT0)，阳极15的厚度为IlOnm0
[0057]磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。
[0058]S30、在阳极15上依次蒸镀形成空穴注入层20、空穴传输层25、电子阻挡层30、发光层35、空穴阻挡层40、电子传输层45和电子注入层50。
[0059]蒸镀过程中，工作压强为2 X 10_3?5 X W5Pa,有机材料的蒸镀速率为0.1?Inm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为I?10nm/s。
[0060]空穴注入层20的材料可以为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)0空穴注入层20的厚度可以为20nm?80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层20的材料为三氧化钥(MoO3),空穴注入层20的厚度为35nm。
[0061]空穴传输层25的材料可以为1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’-联苯二胺(NPB)，空穴传输层25的厚度可以为20nm?60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层25的材料为NPB，空穴传输层25的材料为48nm。
[0062]电子阻挡层30的材料为质量比为3?5:1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物。
[0063]有机娃小分子可以为二苯基二(O-甲苯基)娃(UGHl)、p_ 二 (三苯基娃)苯(UGH2)、1，3-双(三苯基硅)苯(UGH3)或P-双(三苯基硅)苯(UGH4)。
[0064]酞菁类金属化合物可以为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镁(MgPc)或酞菁钒(VPc)。
[0065]电子阻挡层30的厚度为1nm?30nm。
[0066]发光层35的材料可以为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3),发光层35的厚度可以为5nm?40nm。在一个较优的实施例中，发光层35的材料为Alq3，发光层35的厚度为19nm。
[0067]空穴阻挡层40的材料为质量比为10?30:1的铼化合物与磷光材料的混合物。
[0068]铼化合物可以为七氧化二铼(Re2O7)、二氧化铼(ReO2)、三氧化二铼(Re2O3)或三氧化铼(ReO3)。
[0069]磷光材料可以为双(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶