有机电致发光器件及其制备方法_3

文档序号:9218742阅读:来源:国知局
甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基卩比唳)合铱(Ir (ppy)3)。
[0070]空穴阻挡层40的厚度为5nm?30nm。
[0071]空穴阻挡层40中,磷光材料的选择与发光层35选择的发光材料的相匹配,即:发光层35选择蓝光发光材料时,磷光材料对应选择蓝光磷光材料;发光层35选择绿光发光材料时,磷光材料对应选择绿光磷光材料。
[0072]电子传输层45的材料可以为电子传输材料。电子传输层45的厚度可以为40nm?250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、l,2,4-三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。在一个较优的实施例中,电子传输层45的材料为TPBI,电子传输层45的厚度为125nm。
[0073]电子注入层50的材料为氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、碳酸铯(Cs2CO3)或叠氮铯(CsN3)0电子注入层50的厚度为0.5nm?10nm。在一个较优的实施例中,电子注入层50的材料为Cs2CO3,电子注入层50的厚度为2nm。
[0074]S40、在电子注入层50上蒸镀形成阴极55,得到有机电致发光器件。
[0075]阴极55的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0076]阴极55的材料为Ag、Al、Pt或Au,阴极55的厚度为80nm?250nm。在一个较优的实施例中,阴极55的材料为Ag,阴极55的厚度为120nm。
[0077]这种有机电致发光器件的制备方法步骤简单,简便易行,制备得到的有机电致发光器件发光效率较高。
[0078]以下为具体实施例,实施例中使用的测试与制备设备包括:沈阳科学仪器研制中心有限公司的高真空镀膜系统(蒸镀),美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪(测试电致发光光谱),美国吉时利公司的Keithley2400 (测试电学性能),日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计(测试亮度和色度)。其中,“/”代表层叠,“:”代表混合。
[0079]实施例1
[0080]一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极,具体结构表示为:玻璃/IT0/Mo03/NPB/UGH2:CuPc/Alq3/Re207: (Ir (ppy) 3/TPBI/Cs2CO3Ag?
[0081]制备步骤为:
[0082]提供市售的普通玻璃,将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后,置于异丙醇中浸泡过夜。
[0083]在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ΙΤ0,厚度为llOnm。磁控溅射的加速电压为700V,磁场为120G,功率密度为25W/cm2。
[0084]在工作压强为8X10_4Pa的条件下,按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s,在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为MoO3,厚度为35nm。空穴传输层的材料为NPB,厚度为48nm。电子阻挡层的材料为质量比为3.2:1的UGH2和CuPc的混合物,厚度为18nm。发光层的材料为Alq3,厚度为19nm。空穴阻挡层的材料为质量比为14:1的Re2O7和Ir(ppy)3的混合物,厚度为16nm。电子传输层的材料为TPBI,厚度为125nm。电子注入层的材料为Cs2CO3,厚度为2nm。
[0085]在工作压强为8X10_4Pa的条件下,按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s,在电子注入层上蒸镀形成阴极,得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag,厚度为120nm。
[0086]如图3所示的实施例1制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件(普通玻璃/IT0/Mo03/NPB/Alq3/TPBI/Cs2C03/Ag)的亮度与流明效率的关系图。
[0087]曲线I为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线,曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
[0088]由图3可以看出,在相同亮度下,实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。实施例1制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为4.801m/W,而普通结构的有机电致发光器件的最大流明效率仅为2.581m/W,而且普通结构的有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明,实施例I制备的有机电致发光器件的电子阻挡层和空穴阻挡层有效阻挡电子穿越到空穴,提高空穴传输速率,提高出光效率,阻挡空穴穿越到阴极,有效提高发光效率。
[0089]实施例2
[0090]—种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极,具体结构表示为:玻璃/AZ0/V205/NPB/UGH1:ZnPc/BCzVBi/Re02:FIrpi/TAZ/LiF/Pt。
[0091]制备步骤为:
[0092]提供市售的普通玻璃,将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后,置于异丙醇中浸泡过夜。
[0093]在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ΑΖ0,厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V,磁场为50G,功率密度为40W/cm2。
[0094]在工作压强为2X10_3Pa的条件下,按照有机材料的蒸镀速率为lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s,在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V2O5,厚度为20nm。空穴传输层的材料为NPB,厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为5:1的UGHl和ZnPc的混合物,厚度为10nm。发光层的材料为BCzVBi,厚度为40nm。空穴阻挡层的材料为质量比为10:1的ReO2和FIrpic的混合物,厚度为30nm。电子传输层的材料为TAZ,厚度为70nm。电子注入层的材料为LiF,厚度为lnm。
[0095]在工作压强为2X 10_3Pa的条件下,按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s,在电子注入层上蒸镀形成阴极,得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt,厚度为80nm。
[0096]实施例3
[0097]—种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极,具体结构表示为:玻璃/IZ0/W03/TAPC/UGH3:MgPc/ADN/Re203:1r (MDQ) 2 (acac)/Bphen/CsF/Au。
[0098]制备步骤为:
[0099]提供市售的普通玻璃,将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后,置于异丙醇中浸泡过夜。
[0100]在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO,厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V,磁场为200G,功率密度为lW/cm2。
[0101]在工作压强为5X10_5Pa的条件下,按照有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s,在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO3,厚度为55nm。空穴传输层的材料为TAPC,厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为3:1的UGH3和MgPc
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