的混合物，厚度为30nm。发光层的材料为ADN，厚度为5nm。空穴阻挡层的材料为质量比为30:1的Re2O3和Ir (MDQ)2 (acac)的混合物，厚度为5nm。电子传输层的材料为Bphen,厚度为40nm。电子注入层的材料为CsF,厚度为10nm。
[0102]在工作压强为5X10_5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为lnm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为250nm。
[0103]实施例4
[0104]—种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为:玻璃/AZ0/V205/TCTA/UGH4:VPc/DCJTB/Re03:1r (piq)3/TPBi/CsN3/Al。
[0105]制备步骤为:
[0106]提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。
[0107]在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2。
[0108]在工作压强为2X10_4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为3.5:1的UGH4和VPc的混合物，厚度为15nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为8nm。空穴阻挡层的材料为质量比为25:1的ReOdP Ir(Piq)J^混合物，厚度为10nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为250nm。电子注入层的材料为CsN3,厚度为0.5nm。
[0109]在工作压强为8X10_4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为140nm。
[0110]以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极； 所述电子阻挡层的材料为质量比为3?5:1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物，所述有机娃小分子为二苯基二(O-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基硅)苯或P-双(三苯基硅)苯，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒； 所述空穴阻挡层的材料为质量比为10?30:1的铼化合物与磷光材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述磷光材料为双(4，6- 二氟苯基吡啶_N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱。2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为1nm?30nm,所述空穴阻挡层的厚度为5nm?30nm。3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm?80nm。4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)_N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm?60nmo5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm?40nm。6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为 40nm ?250nm。7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯，所述电子注入层的厚度为0.5nm?10nm。8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm?300nm ； 所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au,所述阴极的厚度为80nm?250nm。9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 对基底进行表面预处理； 在所述基底上磁控溅射制备阳极； 在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述电子阻挡层的材料为质量比为3?5:1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物，所述有机娃小分子为二苯基二(ο-甲苯基)娃、p- 二(三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯或p-双(三苯基娃)苯,所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述空穴阻挡层的材料为质量比为10?30:1的铼化合物与磷光材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述磷光材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱；以及在所述电子注入层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2 ； 蒸镀过程中，工作压强为2 X 10_3?5 X 10_5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为I?lOnm/s。
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；电子阻挡层的材料为有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物；空穴阻挡层的材料为铼化合物与磷光材料的混合物。有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边，而酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率；铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合，磷光材料发光性能较好，光色稳定；电子阻挡层和空穴阻挡层可有效提高发光效率。本发明还公开了上述有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/52, H01L51/56, H01L51/50
【公开号】CN104934544
【申请号】CN201410111004
【发明人】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月21日