实施例中的母板对应于剖切线AA’的部分剖面示意图。
[0048]图5B是依据本发明再一实施例中的母板对应于剖切线BB’的部分剖面示意图。
[0049]图5C是依据本发明再一实施例中的母板对应于剖切线CC’的部分剖面示意图。
[0050]图6是依据本发明另一实施例中的母板对应于剖切线CC’的部分剖面示意图。
[0051]图7是依据本发明另一实施例的面板母板的部分剖面示意图。
[0052]图8是对应于图1中的母板被切分得到的像素阵列基板俯视图。
[0053]图9A是对应于图8中剖切线aa’的部分剖面示意图。
[0054]图9B是对应于图8中剖切线bb’的部分剖面示意图。
[0055]图9C是对应于图8中剖切线cc’的部分剖面示意图。
[0056]图9D是对应于图8中剖切线dd’的部分剖面示意图。
[0057]图10是依据本发明另一实施例的像素阵列基板俯视图。
[0058]图11是依据本发明另一实施例中图8的剖切线cc’的部分剖面示意图。
[0059]图12A是依据本发明再一实施例中的像素阵列基板对应于剖切线aa’的部分剖面示意图。
[0060]图12B是依据本发明再一实施例中的像素阵列基板对应于剖切线bb’的部分剖面示意图。
[0061]图12C是依据本发明再一实施例中的像素阵列基板对应于剖切线cc’的部分剖面示意图。
[0062]图12D是依据本发明再一实施例中的像素阵列基板对应于剖切线dd’的部分剖面示意图。
[0063]图13是依据本发明另一实施例中的像素阵列基板对应于剖切线cc’的部分剖面示意图。
[0064]图14是依据本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
[0065]其中，附图标记说明如下:
[0066]1000 母板
[0067]1100、3100 基板
[0068]110U3101 上表面
[0069]31OE 边缘
[0070]1110 显示单元
[0071]111U3111 显示区
[0072]1113、3113周边线路区
[0073]1130预切割区
[0074]1300、3300薄膜晶体管
[0075]130G、330G 栅极
[0076]130S、330S 源极
[0077]130D、330D 漏极
[0078]1301、3301 绝缘层
[0079]1400、1500、3400、3500 信号线
[0080]1600、3600 像素电极
[0081]1700、1710、3700、3710 导电图案
[0082]1800 ?1830、3800 ?3830 开口
[0083]1801、1803、1807、3801、3803、3807 第一部分
[0084]1805、1809、3805、3809 第二部分
[0085]380E 侧壁
[0086]1900^1910^3900^3910 保护层
[0087]1920、3920 介电层
[0088]2000面板母板
[0089]3000像素阵列基板
[0090]4000 显示面板
[0091]2100、4100 对向基板
[0092]2200、4200 框胶
[0093]2300^4300显示介质层
[0094]2400、4400 光间隙物
[0095]AA’、BB’、CC’、DD’ 剖切线
[0096]aa，、bb，、cc，、dd’ 剖切线
【具体实施方式】
[0097]以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、申请专利范围及附图，任何本领域普通技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例是进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
[0098]请参照图1至第2C图，其中图1是依据本发明一实施例的像素阵列基板母板俯视图，第2A图是对应于图1中剖切线AA’的部分剖面示意图，而第2B图是对应于图1中剖切线BB’与DD’的部分剖面示意图，第2C图是对应于图1中剖切线CC’的部分剖面示意图。而如图1、第2A图与第2B图所示，本发明一实施例中的母板1000具有基板1100。基板1100具有多个显示单元1110，显示单元之间定义出至少一预切割区1130。各显示单元1110包括一具有多个像素区(未标示)的显示区1111与相邻于显示区1111的至少一周边线路区1113，本发明的实施例是以环绕显示区1113的至少一周边线路区1113为实施范例，但不限于此。必需要说明的是，每个显示单元1110被切割下来后，就是一个显示面板的像素阵列基板或显示面板。
[0099]而如第2A图所示，在显示区1111内的至少部分的像素区(未标示)内，于基板1100的上表面设置有薄膜晶体管1300。薄膜晶体管1300中有栅极130G、漏极130D、源极130S、绝缘层1301与氧化物半导体层1300。绝缘层1301位于栅极130G与氧化物半导体层1300之间，且源极130S与漏极130D与氧化物半导体层1300接触，即源极130S与漏极130D皆会与氧化物半导体层1300部分重叠，而绝缘层1301还延伸至所属显示单元1110的周边线路区1113，其中绝缘层1301的介电常数小于6，大于I。于特别的实施例中，绝缘层1301的介电常数小于5，大于I。其中，绝缘层1301的材料可以是二氧化硅、碳硅氧化物、氮氧化硅、碳化硅、硅基高分子、旋涂玻璃(SOG)或其它合适的材料，且前述材料的物性或化性可参阅物质安全数据表，而氮氧化硅的氮原子百分比要实质上小于30%大于0%，氧原子大于氮原子的百分比，硅原子百分比实质上小于氮与氧原子总和，且氮与氧原子总和小于67%大于62%，其中，氮、氧、硅原子总和为100%，且氮氧化硅的折射率大于1.45小于
1.75，而其制造方法可为化学气相沈积法、溅镀法或其它合适的方法。本发明以绝缘层1301的材料为二氧化硅为范例，但不限于此。于某些实施例中，绝缘层1301中只有栅极绝缘层，而于另一些实施例中，绝缘层1301由多层绝缘材料堆迭而成，例如绝缘层1301是由栅极绝缘层与蚀刻终止层的堆迭膜层构成。虽然于本实施例中，栅极130G位于氧化物半导体层1300的下，即底闸型薄膜晶体管为范例，但不限于此。于其它实施例中，栅极130G亦位于氧化物半导体层1300的上，即顶闸型薄膜晶体管，或是栅极130G位于氧化物半导体层1300其它位置上，即其它类型的薄膜晶体管亦可适用的。氧化物半导体可为单层或多层结构，且其材料包含铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、氧化锡(ZnO)、氧化镉?氧化锗(Cd02.Ge02)、氧化镍钴(NiCo204)、氧化锌(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)或其它合适的材料。
[0100]此外，于薄膜晶体管1300上还设有第一信号线1400、第二信号线1500与像素电极1600。第一信号线1400连接于栅极130G，则第一信号线1400可视为扫描线或栅极线、第二信号线1500连接于源极130S，则第二信号线1500可视为数据线，而像素电极1600连接于漏极130D。其中，第一信号线1400、第二信号线1500与像素电极1600皆为简略地描绘。此外，于基板1100上还有第一导电图案1700，第一导电图案1700设置于一部分预切割区1130，且部分的第一导电图案1700位于周边线路区1113，其中，位于周边线路区1113的绝缘层1301与第一导电图案1700重叠以构成图1中的标记M。绝缘层1301具有第一开口1800，基板1100的部分上表面1101(或可称为内表面)经由第一开口 1800暴露出来，且第一开口 1800位于周边线路区1113上且环绕显示区1111，并避开标记M。虽然于图示中，第一导电图案1700覆盖绝缘层1301，然而第一导电图案1700也可以被绝缘层1301所覆盖，本发明并不加以限制。
[0101]还有第一保护层1900，形成于基板1100上，且形成于薄膜晶体管1300、标记M、位于周边线路区1113的绝缘层1301与第一开口 1800上。第一保护层1900的介电常数大于绝缘层1301的介电常数。其中，第一保护层1900的材料可以是氮化硅、氮氧化硅、氧化钽(tantalum oxide)、氧化招、氧化钛、氧化給(HfO)或其它合适的材料，且前述材料的物性或化性可参阅物质安全数据表，而氮氧化硅的氮原子百分比要实质上大于等于30%小于58%，氧原子小于氮原子的百分比且大于0%，硅原子百分比实质上小于氮与氧原子百分比总和，且氮与氧原子百分比总和小于等于62%大于57%，其中，氮、氧、硅原子总和为100%，且氮氧化硅的折射率大于等于1.75小于2.0，而其制造方法可为化学气相沈积法、溅镀法或其它合适的方法。本发明以第一保护层1900的材料为氮化硅为范例，但不限于此。因此，如第2B图所示，于预切割区1130处的剖切线BB’所对应的部分剖面示意图中，基板1100上的第一保护层1900于绝缘层1301的第一开口 1800处与基板1100相接触，而于第一开口 1800以外的部分，第一保护层1900不接触基板1100的上表面。
[0102]而如第2C图所示，于标记M处的剖切线CC’所对应的部分剖面示意图中，基板1100上有第一导电图案1700，以及其上的绝缘层1301。于绝缘层1301的上覆盖有第一保护层1900。
[0103]于某些实施例中，请回到图1，标记M位于环绕显示单元1110的预切割区1130的四个角落，则在每个角落处的第一开口 1800具有两个第一部分1801、1803与一个第二部分1805、，各第一部分与预切割区1130重叠，第二部分1805分别连通第一部分1801与第一部分1803，且第二部分1805邻近标记M，但不与预切割区1130重叠，可视为第二部分1805不与标记M连通。本实施例中，标记M可作为对位及/或切割标记，且标记M的投影形状以实